バックサイドメタライゼーションソリューション『ECLIPSE』
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)！
『ECLIPSE』は、フロント及びバックサイドメタライゼーション、 誘電体・圧電体成膜用のサイドスパッタ方式のスパッタリング装置です。 また、極薄ウェーハ、脆弱基板に対応する独自開発の搬送機構を有します。 バックサイドメタラーゼーション・アンダーバンプメタルなどの スパッタリングプロセスにおいて連続成膜とウェーハ搬送に課題を 持っているエンジニアの方におすすめです。 【特長】 ■非接触なウェーハ搬送機構 ■生産用150mmウェハーに対応(ウェーハ厚さ：250um) ■生産用100mmウェーハにも対応(ウェーハ厚さ：130μm) ■ウェーハセルフセンタリングが可能 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【その他の特長】 ■ターゲット使用効率の向上(〜40％) ■高スループット(＞50 ウェーハ/hr) ■高精度な基板温度制御(±7℃) ■リアクティブスパッタリングが可能(O2/N2) ■基板バイアス機能(RF/DC) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■コンタクト層/バリア層/インターコネクト ■インクジェット応用(圧電薄膜) ■誘電体膜(セラミックターゲットまたは反応性スパッタリング用メタルターゲット) ■薄膜抵抗体：NiCr、NiO、SiCr、TaN、TaAlN ■透明導電膜：ITO、AZO、GZO ■バックサイドメタライゼーション(BGBM) ■アンダーバンプメタライゼーション(UBM) ■パワーデバイス応用(裏面電極成膜) ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
取り扱い会社
当社は、プラズマ技術を応用したエッチング、成膜、切断装置に加え、 ICP, RIE, DSE, IBE, IBD, PECVD, HDPCVD, HDRF F.A.S.T.-ALD装置の販売、 並びに、当該装置に関するカスタマーサービスの提供しております。 米国フロリダ州に本社を構える、Plasma-Therm LLCは、1974年に設立。 設立以来、48年間プラズマ技術を応用した半導体製造装置の製造・販売を 行っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en
