イオンアシスト・スパッタリング成膜装置
耐摩耗性コーティング業界のエンジニアに！膜応力の精密なコントロール性
当社では、研究開発から小規模量産まで対応可能な「イオンアシスト・ スパッタリング成膜装置(PVD)」を取り扱っております。 本装置は、半導体デバイス、ナノテクノロジー、強誘電性・強磁性薄膜、 超伝導薄膜など、幅広い分野への応用が可能です。 特に、バイアス・スパッタリングの代替技術として、緻密かつ高密着性の 薄膜成膜を実現し、膜応力の制御も容易。さらに、最大基板温度800℃までの 高温成膜に対応しており、絶縁性基板への成膜も可能です。 【特長】 ■高温基板加熱機構とイオンアシスト効果により、緻密かつ密着性の 高い薄膜を提供可能 ■熱伝導性に優れたウェーハキャリア ■合金成膜、反応性スパッタによる酸化物、窒化物の成膜に対応 ■イオン源は強い指向性と集中イオンエネルギーバンド幅を有する エンドホール型(カウフマン型)を使用 ■ラボスケールから小規模量産に対応し、緻密性と密着性に優れた薄膜成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【仕様(一部)】 ■基板サイズ：2インチΦから6インチΦ、厚さ＜1mm ■基板温度：800℃(Max) ■Horizontal(横型)・デポジションダウン ■カソード：3カソード、RF・DCスパッタリング対応 ■ターゲットサイズ：4インチ ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■最大3ターゲットを用いたコスパッタ方式により、Al、Cu、Au、Ag、Ti、W、Cr等 全ての金属、並びに合金成膜に対応 ■BN等耐摩耗性窒化物の高密度成膜、V2O5(モット転移材料)、 強誘電性3元酸化物に対応 ■DC及びRFバイアススパッタリングに代替する、新たなイオンアシスト効果を有する高密度薄膜成膜 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせください。
取り扱い会社
当社は、プラズマ技術を応用したエッチング、成膜、切断装置に加え、 ICP, RIE, DSE, IBE, IBD, PECVD, HDPCVD, HDRF F.A.S.T.-ALD装置の販売、 並びに、当該装置に関するカスタマーサービスの提供しております。 米国フロリダ州に本社を構える、Plasma-Therm LLCは、1974年に設立。 設立以来、48年間プラズマ技術を応用した半導体製造装置の製造・販売を 行っています。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 ▼グループ会社Corial 公式サイト https://corial.plasmatherm.com/en
