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リアクティブスパッタ、合金スパッタを自在にコントロールしての成膜を実現します

独自技術HiTUSテクノロジー ヘリコンイオンソースをプラズマ源とし、そこから得られた高密度なイオンをターゲットへのバイアス電圧印加のみでグリッドレス加速させる画期的なテクノロジーです。 リモートプラズマ方式によるイオンビーム型の成膜法であるため、マグネトロンスパッタ装置が不得意とする強磁性体成膜や誘電体反応膜においても安定した製膜を実現します。 イオン密度とターゲット印加を個別に制御することにより、幅広い成膜条件への対応が可能となるだけでなく、高レートでの成膜も両立させます。 イオン供給量とスパッタレートのコントロールでイオン化したターゲット材を基板まで届かせ、基盤面での成膜時に反応させ るリアクティブ制御も容易です。 ２インチから８インチ径までのターゲットを多連装し、切り替えながらの多層膜の成膜はもちろん、複数のターゲットへの同時印加でCo-スパッタ成膜も容易に行えます。 ターゲット付近、基盤付近に独立したガス供給も行えるため、酸化膜・窒化膜をはじめとした様々な多反応多層膜も再現良く成膜可能です。 基盤表面がプラズマに晒されないため、基盤表面を低温に保っての成膜が可能となります。

新たな素材探索や成膜プロセスの構築をサポートいたします

ー　　ご研究過程でのアイデアを実現するテクノロジー 　　ー イオン供給量とスパッタレートの独立コントロール 　→スパッタレート、膜質、結晶構造の制御 　→ターゲット材のイオン化率の制御 直進性の高い成膜 　→イオンビームスパッタの特徴である直進性の高い成膜 多連装ターゲット機構 　→幅広い多層膜成膜 複数ターゲットの独立制御 　→各ターゲットのスパッタレートを制御してのCo-スパッタ合金成膜 　→ターゲットを切り替えての多層成膜 基盤へのバイアス印加制御によるコンフォーマル成膜 　→ディープトレンチ、回り込みなどの悪条件下でもコンフォーマルな成膜 --- リアクティブ成膜時の 広大なプロセスウインドウ --- --- 低温成膜とストレスコントロール---