ウィンボンド・エレクトロニクス（Winbond Electronics Corp. Japan)　株式会社 公式サイト

自社12インチウェハ工場を保有し製造から販売までを独自に展開しています

【製品】 ■SDRAM ■DDR SDRAM ■DDR2 SDRAM ■DDR3 SDRAM ■HyperRAM(TM) ■Low Power DDR SDRAM ■Low Power DDR2 SDRAM ■Low Power DDR4/4X SDRAM ■Serial NOR Flash ■QspiNAND Flash ■OctalNAND Flash ■Secure Flash など ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

高性能・大容量ストレージオプションで車載ディスプレイアプリケーションに好適！高速読出しかつ高信頼性のSLCNAND

【ラインアップ】 ■W25N01JW ■W25N02JW ■W25N01GW ■W25N01GW ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

実装の信頼性と拡張性を提供するセキュアフラッシュメモリをご紹介！

【その他特長】 ■標準SPIフラッシュメモリを完全置換え可能（Drop-In Replacement） ■PCB基板やMPUの再設計不要 ■外部ラボにおける検証と評価 ■Root of Trustとセキュアブート ■セキュアOTAファームウェアアップデート ■レジリエンシー（保護、検知、回復） ■セキュアデータストレージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

大きなコードサイズを必要とするアプリケーションの開発に適した容量の製品を選択可能

【その他の特長】 ■QspiNANDは、業界標準の50MB/sより高速の83MB/sのリードスピードによりシステムの高速起動に貢献 ■Waferは、自社ファブ製造による品質管理、長期供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

NANDとNORをワンパッケージ化！省スペース化／低コスト化に貢献します

＜主要スペック＞ 容量 16Mb S-NOR + 512Mb S-NAND 16Mb S-NOR + 1Gb S-NAND 32Mb S-NOR + 1Gb S-NAND 64Mb S-NOR + 1Gb S-NAND 128Mb S-NOR + 1Gb S-NAND S-NOR + S-NOR S-NAND + S-NAND 電源電圧 1.70 ~ 1.95V / 2.7 ~ 3.6V 動作温度範囲 -40 ~ +85℃ (工業グレード) チップ切替方法 ソフトウェアによるコマンド入力

PCBレイアウト設計を大幅に簡素化！省スペース・低消費電力で小型機器に好適！

【適しているアプリケーション例】 ■ウェアラブル機器 ■ハンドヘルド機器 ■車載クラスター ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

高耐久性で高速読み出し！コードストレージ用途向け大容量フラッシュメモリ

【ラインアップ】 ■W35N01JW（容量：1Gb） ■W35N02JW（容量：2Gb） ■W35N04JW（容量：4Gb） ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

認証フラッシュでシステム全体をセキュアに！

【ラインアップ（容量）】 ■0Mb ■64Mb ■128Mb ■256Mb ■512Mb ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。