株式会社アイテス 公式サイト

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(mm） ・パワーデバイスアナライザによる特性評価 　最大電圧　3000V、最大電流　20A 　小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応 ・絶縁性評価イオンマイグレーション試験 　高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター 　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 　Siチップサイズ：200um～15mm ・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　　　　　　　　　感度：数十pA 　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・エミッション解析：　～2kV　まで対応 　　　　　　　　　　感度：数nA 　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um ・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 ・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能 　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり ・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k） ・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k） 　

FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。

半導体デバイス、MEMS、TFTトランジスタなど ナノスケールで製造されるエレクトロニクス製品の構造解析を クロスビームFIBによる断面観察で行います。 １）FIB加工をリアルタイムで観察できるため目的の箇所を確実に捉えます。 ２）2つの二次電子検出器（In-Lens/チャンバーSE）により試料から様々な情報が得られます。 ３）加工用FIBと観察用低加速SEMを1つのチャンバーに集約し大気に曝すことなく観察。 ４）拡散層：PN界面の可視化が可能。N+/N-及びP+/P-の濃度差は検出不可。

他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます！

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！

【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】 ■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定 ■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工 ■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価 ■TEM観察による結晶構造観察、元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ソフトマテリアルの断面作製も実現！Auto Slice＆Viewで3D再構築も可能です！

【FIB-SEM複合装置概要】 ■垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載 ■FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能 ■加工位置精度の向上 ■大気非暴露で観察、分析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。