【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】パワーデバイス
パワーデバイスの分析事例をご紹介します
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【分析事例】低温PL・SIMS分析Si基板の格子間型炭素の評価
Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です
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【分析事例】PL・TEMによるSiCパワーデバイスの結晶欠陥評価
PLマッピングで検出した結晶欠陥の高分解能TEM観察
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【分析事例】ウェハの粘着シート成分の分析
有機汚染の定性・定量・分布を複数手法の組み合わせで評価
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XPSにおける吸着酸素の影響
XPS： X線光電子分光法
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クリーンルーム内有機化合物の評価方法
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
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【分析事例】ラマンマッピングによる応力評価
試料断面における応力分布を確認することが可能です
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【分析事例】SNDMのSiCMOS高感度評価
SiCデバイスの拡散層構造を可視化できます（拡散層構造の高感度評価）
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【分析事例】SiCディスクリートパッケージの非破壊3D構造観察
ディスクリートパッケージ内部の構造を非破壊で立体的に観察
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【分析事例】SiCTrenchMOSFETトレンチ側壁の粗さ評価
デバイス特性に関わるトレンチ側壁の粗さを定量評価
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【分析事例】STEM・EDXと像シミュレーション結晶構造評価
STEM像と原子組成の測定結果から結晶構造の評価ができます
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【分析事例】SMMおよびSNDMによるSiC
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
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【分析事例】ワイドギャップ半導体ドーパントサイト同定電子状態評価
ミクロな原子構造を計算シミュレーションによって評価可能
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【分析事例】低分子シロキサンの定量分析
アウトガス中のシロキサンをngオーダーで定量します
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【分析事例】撥水箇所の成分分析
TOF-SIMSは複数成分の広域イメージング評価が可能です
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【分析事例】深紫外LED中Mgの深さ方向濃度分析
様々なAl組成のAlGaN中不純物の定量が可能です
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リートベルト解析（Rietveld analysis）とは
XRD等の測定データの解析から結晶内原子配置等の詳細な情報が得られます
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EV関連分析事例
分析でEV開発のEVolutionを！
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【分析事例】発光寿命測定によるキャリアライフタイム評価
発光寿命からSiCのキャリアライフタイムについて知見が得られます
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【分析事例】SiC基板表面および内部の不純物濃度測定
ICP-MS、 GDMSにより基板表面と内部とを切り分けて分析
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【分析事例】半導体パッケージのはんだ濡れ性試験
劣化加速試験後の電極のはんだ濡れ性試験が可能です。
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【分析事例】ノーマリーオフ型GaN HEMT二次元電子ガス層評価
製品調査の複合解析をワンストップでご提案可能です
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【分析事例】トレンチ型Si-MOSFETIDSSリーク箇所解析
デバイスの不良箇所特定から要因解析までワンストップでご提供
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【分析事例】GaN基板の表面形状分析
AFMによるステップ-テラス構造の可視化
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【分析事例】SiCトランジスタのSlice&view故障解析
SEM像の3D化でリークパスを確認
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【分析事例】SiCパワートランジスタリーク箇所の成分分析
Slice＆Viewで特定したゲート破壊箇所で拡大観察やEDX分析が可能
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信頼性試験の一覧
信頼性試験（Reliability Test）
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HAXPESによるオージェピークの重複を回避した評価
Ga線（HAXPES）およびAl線・Mg線（XPS）測定によるスペクトル比較
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【分析事例】STEM、EBSD像シミュレーション多結晶体構造解析
像シミュレーションを併用した結晶形の評価
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