【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】パワーデバイス
パワーデバイスの分析事例をご紹介します
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【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
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【分析事例】電子回折の種類と特徴
TEM：透過電子顕微鏡法
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【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価
XPS：X線光電子分光法
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【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去
表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
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【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価
目的に合わせた測定条件で評価を行います
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【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項
PL：フォトルミネッセンス法
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【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS
SIMS：二次イオン質量分析法
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【分析事例】SRAの濃度換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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【分析事例】SRAの深さ換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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【分析事例】定量計算における妨害ピーク除去処理
XPS：Ｘ線光電子分光法
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【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析
裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能
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【分析事例】パワーデバイスのドーパント及びキャリア濃度分布の評価
複合解析で活性化率に関する評価が可能
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【分析事例】パワーデバイスのキャリア濃度分布評価
ドーパントの活性化率に関する評価が可能
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【分析事例】SiC基板の品質評価
結晶方位・面内欠陥分布・表面凹凸・不純物を評価
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【分析事例】GaN系LED構造中不純物の深さ方向濃度分析
目的に応じた分析条件で測定します
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【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価
凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能
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【分析事例】Si基板へのAl,Gaの拡散評価
SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
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【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定
固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能
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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】成膜成分のウエハ裏面への回り込み評価
ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
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【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価
フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価
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【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価
SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます
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【分析事例】ウエハケース内ウエハの有機汚染評価
製造プロセスおける有機汚染の原因や総量を評価できます
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【分析事例】酸化・窒化薄膜のバンドギャップ評価
XAFSとXPSの複合解析によって高精度なバンドギャップ評価が可能
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【分析事例】代表的な材料・目的別のTDS解析例
TDS：昇温脱離ガス分析法
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【分析事例】XAFSによるGaNのイオン注入ダメージ評価
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
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【分析事例】XRD・EBSDによるGaN結晶成長の評価
断面マッピングにより、GaNの結晶成長の様子を評価可能
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【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の付着量評価
薄膜成分の付着量を試料間で比較
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【分析事例】XRFによるウエハ上Au薄膜の面内膜厚評価
多点マッピング測定により膜厚分布を可視化
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【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
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