MST 一般財団法人材料科学技術振興財団 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 公式サイト

【分析事例】SiCPlanerPowerMOSFETの拡散層評価

SiCデバイスの拡散層のp/n極性とキャリア濃度分布を評価できます

SiC Planer Power MOSFETの断面を作製し、拡散層のp/n 極性分布をSCM(走査型静電容量顕微鏡法)で評価し、キャリア濃度分布をSMM(走査型マイクロ波顕微鏡法)で定性的に評価しました。 いずれのデータからも、n+型のSource層の周囲に、p型のBody層が二層構造で形成されていることが分かり、ゲート直下にはChannel Epitaxial層が存在することが分かりました。Channel Epitaxial層の端部では、Source層に一部濃度の低下が確認されました。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報

-

納期

用途/実績例

パワーデバイスの分析です

【分析事例】SiC Planer Power MOSFETのSCMおよびSMMによる拡散層評価

技術資料・事例集

取り扱い会社

MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

おすすめ製品