【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】LSI・メモリ
LSI・メモリの分析事例をご紹介します
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【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価
SCMによる特定箇所の拡散層評価
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【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察
FIB法による特定箇所の平面TEM観察
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【分析事例】極浅ドーパント分布の高精度分析
高い再現精度で評価可能
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【分析事例】Si表面のH終端の解析
処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
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【分析事例】最表面シラノール基の評価
TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です
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【分析事例】汚染原因となる工程の調査
手袋由来の汚染の評価
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【分析事例】極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】素子分離領域の歪解析
NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析
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【分析事例】室内雰囲気中の腐食成分分析
インピンジャー捕集法による大気中イオン成分の分析が可能です
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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価
水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です
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【分析事例】SiGe中不純物の高精度定量評価
SIMS：二次イオン質量分析法
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【分析事例】ニッケルめっき剥離面の評価
めっきの剥がれ、密着不良をTOF-SIMS分析で原因調査
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【分析事例】Siウエハの保管状態による表面汚染評価
フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価
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【分析事例】溶液中の窒素成分の評価
無機窒素を形態別に分析可能です
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【分析事例】揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
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【分析事例】電子回折の種類と特徴
TEM：透過電子顕微鏡法
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極点測定
XRD：X線回折法
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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察
Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察
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【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価
XPS：X線光電子分光法
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【分析事例】ウエットエッチングによる有機付着物除去
表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
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【分析事例】低温フォトルミネッセンス測定の注意事項
PL：フォトルミネッセンス法
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【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価
TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価
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【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
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【分析事例】IC法による溶液中の有機酸の分析
溶液中の有機酸の定性・定量分析が可能です
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【分析事例】IC法によるSi含有溶液中のTMAH分析事例
IC（イオンクロマトグラフ）法でアミン類の測定が可能です
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【分析事例】RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS
SIMS：二次イオン質量分析法
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【分析事例】SRAの濃度換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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【分析事例】SRAの深さ換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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【分析事例】定量計算における妨害ピーク除去処理
XPS：Ｘ線光電子分光法
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