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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価

極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能

デバイスの微細化により、極浅い領域における不純物の深さ方向分布評価の必要性が高まっています。 正確な評価を行うためには、通常よりも低いエネルギー(1keV以下)の一次イオンビームを用いたSIMS分析が必要になります。図1にBF2+ 1keV、 P+ 1keV、 As+ 1keVで注入されたSiウエハを一次イオンビームエネルギー250eV~300eVを用いて測定した例を示します。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/17…

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LSI・メモリの分析です

【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価_C0009

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