【分析事例】光デバイス
【分析事例】光デバイス
光デバイスの分析事例をご紹介します
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【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術
目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します
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FIB低加速加工
FIB：集束イオンビーム加工
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【分析事例】SIMSによるUVセンサAlGaN中不純物濃度度評価
様々なAl組成のAlGaN標準試料をラインアップ
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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析
前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能
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【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析
GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】化合物へテロ接合界面歪の可視化
FFTM法による格子像解析
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【分析事例】SIMSによるZnO膜の組成・不純物の分布評価
イメージングSIMS分析により面内分布を可視化
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【分析事例】熱履歴を考慮した異物の成分同定
熱履歴を揃えた標準試料の活用提案
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【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析
TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評価が可能
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【分析事例】成膜成分のウェハ裏面への回り込み評価
ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
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【分析事例】白色LEDのフォトルミネッセンス分析
白色LED中のチップ、蛍光体の発光特性の確認
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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】SSDP-SIMSによるSi基板Ga、Alの拡散評価
SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
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【分析事例】GaN系LED構造中MgのSSDP-SIMS分析
裏面側からGaN系LED構造中の不純物プロファイルを取得可能
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【分析事例】SIMSによる化合物半導体の組成分析
化合物半導体の主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
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【分析事例】GaN系デバイスの発光・発熱解析
GaN系デバイス耐圧評価、及び、表面発熱分布評価のご提案
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低温フォトルミネッセンス測定の注意事項
PL：フォトルミネッセンス法
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【分析事例】XPSによるGaN膜の組成・結合状態評価
目的に合わせた測定条件で評価を行います
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【分析事例】エッチングによる有機付着物除去
表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
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ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価
XPS：X線光電子分光法
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電子回折の種類と特徴
TEM：透過電子顕微鏡法
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【分析事例】近赤外VCSELのSMMによるキャリア分布評価
実装品の解体・加工から拡散層の計測までを一貫して行えます
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【分析事例】ABF-STEM観察によるGaNの極性評価
Csコレクタ付STEMにより原子レベルでの観察が可能です
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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価
水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です
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【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価
金属成分と有機成分を同時に評価可能です
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【分析事例】照明用発光素子の総合評価
LEDの解体から蛍光体・LEDチップなど各材料の分析まで行います
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【分析事例】SCMによるイメージセンサの拡散層形状評価
試料解体から測定まで一貫して対応します
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【分析事例】CMOSセンサの総合評価
スマートフォン部品のリバースエンジニアリング
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