【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】パワーデバイス
パワーデバイスの分析事例をご紹介します
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【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価
金属成分と有機成分を同時に評価可能です
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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
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【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査
高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
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【分析事例】XPSによるSiC表面の状態・膜厚評価
詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能
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【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例
ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介
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【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析
Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析
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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価
コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価
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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層評価
活性層の形状とドーパントを評価
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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
目的に応じた分析条件で測定します
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【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析
SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価
膜厚・密度・結合状態を評価
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【分析事例】NPT-IGBT中ドーパント調査
イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能
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【分析事例】SiCSchottkyBarrierDiodeの測定
SiC中積層欠陥の検出事例
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【分析事例】SiCSchottkydiode中Alの深さ方向分析
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
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【分析事例】SiCパワーMOS FET中ドーパント評価
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能
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【分析事例】SiC中ドーパント元素の深さ方向分析1
SiC中B,Al,N,P,Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
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【分析事例】SiCSchottkyDiodeのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
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【分析事例】Si中不純物の超高感度測定
感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します
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【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術
目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します
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【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析
GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析
前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価
シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜表面近傍の金属元素濃度評価
極浅い領域でも高感度に分析
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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
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【分析事例】酸化ガリウムGa2O3膜の不純物濃度評価
不純物元素の定量評価が可能です
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【分析事例】SiC中不純物の超高感度測定
ppb～pptレベルのバルク濃度を評価します
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【分析事例】高電子移動度トランジスタの評価
Csコレクタ付STEMにより結晶整合性および組成分布の評価が可能
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