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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価

膜厚・密度・結合状態を評価

SiCパワーデバイスは、電力損失を抑え、小型で大電力を扱える電力変換素子として期待されています。 デバイスの特性を向上させるために必要なゲート酸化膜の膜厚、密度をXRR(X線反射率法) および結合状態をXPS(X線光電子分光法)で評価した事例をご紹介します。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

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パワーデバイスの分析です

【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価_C0281

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