【分析事例】電子部品
【分析事例】電子部品
電子部品の分析事例をご紹介します
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【分析事例】SiO2中のアルカリ金属の深さ方向分布評価
試料冷却による高精度なアルカリ金属の分布評価
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【分析事例】バンプの広域断面観察
イオンポリッシュによる断面作製で微小特定箇所の広域観察が可能です
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【分析事例】極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】Si表面のH終端の解析
処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
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【分析事例】最表面シラノール基の評価
TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です
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【分析事例】汚染原因となる工程の調査
手袋由来の汚染の評価
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】FIB低加速加工
FIB：集束イオンビーム加工
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【分析事例】エポキシ樹脂の定性
TOF-SIMS分析による成分の推定が可能
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【分析事例】Si酸化膜・ITO膜中の「水」の評価
｢重水(D2O)処理」を用いた水素の深さ方向分析
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【分析事例】高純度雰囲気下での前処理・測定
XPS：X線光電子分光法など
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【分析事例】SEM装置での歪み評価
EBSD：電子後方散乱回折法
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【分析事例】XAFSによるシリコン酸化膜評価
シリコン周囲の局所構造解析、中間酸化物の定量、バルク・界面の評価
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【分析事例】ハートカットEGA法による発生ガス分析
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
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【分析事例】室内雰囲気中の腐食成分分析
インピンジャー捕集法による大気中イオン成分の分析が可能です
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【分析事例】イオン注入及びアニール処理を行ったSiの低温PL
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
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【分析事例】ポリイミド樹脂の構造解析
熱分解GC/MS法によりポリイミド樹脂の構造解析が可能
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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価
水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です
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【分析事例】粉体異物の定性分析
手法を組み合わせることで、複数種類の成分情報を得ることが可能です
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【分析事例】Siウエハの保管状態による表面汚染評価
フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価
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【分析事例】揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
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【分析事例】電子回折の種類と特徴
TEM：透過電子顕微鏡法
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【分析事例】有機膜材料の配向角評価
XAFS：X線吸収微細構造
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【分析事例】ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価
XPS：X線光電子分光法
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【分析事例】薄膜表面処理後の仕事関数評価
ITO表面プラズマ処理後のUPS分析
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【分析事例】XPSによるDLCの評価
C1s波形解析を使用したsp2/(sp2+sp3)比の評価
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【分析事例】DLC膜のsp2/(sp2+sp3)比高精度定量化
XAFSによる高精度解析
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【分析事例】薄いカーボン膜の深さ方向分析
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)やグラフェンの深さ方向分析が可能
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【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価
TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価
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【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
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