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【分析事例】SIMSによるSiC

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です

市販のSiC Schottky diodeを解体し、素子パターンを含む40um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAlの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAlの深さ方向濃度分布を抽出し、パターン毎に濃度分布の比較を行った事例をご紹介します。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/11…

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【分析事例】SIMSによるSiC_Schottkydiode中Alの深さ方向分析_C0250

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