一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 公式サイト

【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層複合評価

活性層の形状とドーパントを評価

市販のSiCパワーMOS FET素子領域で拡散層分布を評価した事例をご紹介します。 SiC MOSFET製造プロセスでは、イオン注入と活性化熱処理、エピタキシャル層形成などによってチャネル形成します。活性層形成プロセスにおいて、TEM観察からデバイス構造を把握し、SCM測定からp型/n型の断面の拡散層分布やエピタキシャル層、SIMS測定からドーパント元素(N、Al、P)の深さ濃度分布を評価しました。 測定法:SIMS・SCM・TEM 製品分野:パワーデバイス 分析目的:微量濃度評価・形状評価・製品調査 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

MSTホームページ

基本情報

詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

価格情報

-

納期

用途/実績例

パワーデバイスの分析です

【分析事例】SIMS・SCM・TEMによるSiCパワーMOSFETの活性層評価_C0291

技術資料・事例集

取り扱い会社

MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

おすすめ製品