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【分析事例】SiCダイオードのフォトルミネッセンスマッピング測定

SiC中積層欠陥の検出事例

SiCはパワーデバイス用途向けなどに近年盛んに研究・利用が進んでいます。SiCは種々のポリタイプを持つため、積層配置が乱雑になる積層欠陥などが容易に発生するという問題を持ちます。この欠陥の検出法の一つとして、試料を光で刺激した際に放出される光を分析するフォトルミネッセンス(PL)法があります。 マッピング測定を行い欠陥起因の発光を検出した事例を紹介します。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/10…

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パワーデバイスの分析です

【分析事例】SiC Schottky Diodeのフォトルミネッセンスマッピング測定_C0254

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