一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 公式サイト

【分析事例】SSDP-SIMSによるSi基板Ga、Alの拡散評価

SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定

コスト低減の観点から、GaNを材料としたパワーデバイスの基板には高抵抗Si基板の活用が期待されています。しかしながら、高温で成膜する際にAl、GaがSi基板表面に拡散してしまうと、低抵抗層が形成されリークの原因と言われております。 そこで、Si基板中へのAl、Gaの拡散の有無を評価するため、SIMS分析を行った事例をご紹介します。 微量の拡散を正確に評価するため、Si基板側からGaN層に向けて測定を行いました。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/37…

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報

-

納期

用途/実績例

照明・パワーデバイス・光デバイスの分析です

取り扱い会社

MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

おすすめ製品