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半導体のイオン化ポテンシャル評価

UPS:紫外光電子分光法

半導体では、価電子帯立ち上がり位置(VBM)と高束縛エネルギー側の立上り位置(Ek(min))より、イオン化ポテンシャルを求めることが可能です。 表面有機汚染除去程度のArイオンスパッタクリーニング後に測定を行っています。 ■価電子帯立ち上がり位置(VBM)の決定 価電子帯頂点近傍のスペクトルを直線で外挿し、バックグラウンドとの交点を求めます。 ■イオン化ポテンシャルの算出 イオン化ポテンシャル(I.P.)= hν-W hν:照射紫外線のエネルギー(He I線21.22eV) W:スペクトルのエネルギー幅(Ek(min) - VBM)

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/22…

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LSI・メモリの分析です

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