MST 一般財団法人材料科学技術振興財団 一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 公式サイト

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定

基板側からSIMS分析(SSDP-SIMS)を行うことで、表面の凹凸・スパッタに伴う表面側高濃度層からのノックオンの影響を受けない測定が可能です。ゲート電極(BドープPoly-Si)から基板へのボロンの突き抜け量を評価しました。基板側からの測定ではノックオンなどの影響が見られず、より正確な突き抜け量評価が可能であることがわかります。このように、バリアメタルのバリア性・Low-k膜中への金属の入り込み・凹凸のあるシリサイド直下の評価にSSDP-SIMSが有効です。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

基本情報

詳しいデータはカタログをご覧ください

価格情報

-

納期

用途/実績例

LSI・メモリの分析です

【分析事例】ゲート電極から基板へのBの突き抜け量評価

技術資料・事例集

取り扱い会社

MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

おすすめ製品