【分析事例】パワーデバイス
【分析事例】パワーデバイス
パワーデバイスの分析事例をご紹介します
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【分析事例】Siウエハベベル部の汚染評価
金属成分と有機成分を同時に評価可能です
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【分析事例】パワートランジスタ（DMOSFET）の拡散層評価
ゲート・ソース層・ボディ層の位置関係がわかります
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【分析事例】バイポーラトランジスタ（IGBT）の不良品調査
高電圧電源を用いたエミッション顕微鏡による故障箇所の特定
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【分析事例】600V耐圧SiCダイオードのブレークダウン観察
前処理から発光箇所特定まで一貫解析
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【分析事例】SiC Planer Power MOSのSCM分析
SiC デバイスの拡散層構造を可視化できます
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【分析事例】SIMSによるSiC中ドーパント元素の深さ方向分析1
SiC中B、Al、N、P、Asについて、高感度で深さ方向分布の評価が可能
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【分析事例】SIMSによるSiCパワーMOSFETドーパント評価
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能
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【分析事例】SIMSによるSiC
イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能です
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【分析事例】SiCダイオードのフォトルミネッセンスマッピング測定
SiC中積層欠陥の検出事例
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【分析事例】SIMSによるNPT-IGBT中ドーパント調査
イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能
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【分析事例】SiC基板のゲート酸化膜評価
膜厚・密度・結合状態を評価
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【分析事例】SiC基板におけるSSDP-SIMS分析
SiC基板側からドーパント濃度プロファイルを取得可能
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【分析事例】SIMSによるSiC中ドーパント元素の深さ方向分析2
目的に応じた分析条件で測定します
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【分析事例】SiCパワーMOSFETの活性層複合評価
活性層の形状とドーパントを評価
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【分析事例】SiCパワーMOSFETのコンタクト電極評価
コンタクト電極/SiC層の界面の相同定・元素分布評価
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【分析事例】パッケージ品のロックイン発熱解析
Si系パワーダイオードのリーク箇所非破壊分析
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【分析事例】水素注入サンプルのSRA/SIMS評価事例
ライフタイム制御サンプルのキャリア濃度分析事例紹介
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【分析事例】SiC表面の結合状態・膜厚評価
詳細な状態評価と併せ、膜厚計算が可能
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【分析事例】ウェハ・チップの特定箇所の前処理技術
目的箇所のみサンプリングし、ウェハを割らずにサンプル作製します
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【分析事例】SIMSによるSi中不純物の超高感度測定
感度を高めてpptレベルの濃度分布を評価します
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【分析事例】化合物積層構造試料のSIMS分析
前処理により化合物層を選択的に除去してから分析が可能
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【分析事例】SIMSによるGaN系LED構造の組成分析
GaN系LEDの主成分元素の組成を深さ方向に評価可能
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】成膜成分のウェハ裏面への回り込み評価
ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定
固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能
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【分析事例】SSDP-SIMSによるSi基板Ga、Alの拡散評価
SSDP-SIMSによる高濃度層の影響を避けた測定
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【分析事例】テクスチャ付きGaN系LEDの元素分布評価
凹凸のある構造でも平坦化加工により深さ方向分布評価が可能
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【分析事例】SIMSによるGaN系LED不純物の深さ方向濃度分析
目的に応じた分析条件で測定します
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