半導体
半導体
半導体の紹介です。
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TDDB(酸化膜破壊)試験
寿命10年を想定した場合、試験デバイスのゲート電圧を、20V以下で使用することが必要
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パワーサイクル受託試験のご案内
希望の条件に沿った形で試験機をカスタマイズ！お客様が求めるデータを提供
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半導体チップ温度Tj測定法の種類と特長
試験を実施するにあたりどの方法で測定するのかを選択することが重要な要素！
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試料に生じる反りやうねり、粗さの分析および測定
試料全体の変化を観察する技術や知見を集積！安全に駆動することが求められます
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X線光電子分光法を用いた分析手法
絶縁物の測定が可能！セラミック・ガラス等さまざまな材料に適用できます
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半導体パッケージ開封技術(Cuワイヤ・Auワイヤ)
薬液ダメージ低減、高い加工位置精度！IC等のパッケージ開封サービスをご紹介
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アバランシェ試験/連続アバランシェ試験
パワー半導体の定格限界での信頼性評価や、定格オーバー条件でパワー半導体の実力を評価！
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短絡耐量試験の概要および特長
パワー半導体の信頼性試験における短絡状態や試験の設計、測定回路についてご紹介
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パワーサイクル試験装置の開発/製造/販売
複数個のDUTの同時試験が可能！要望に応じた制御方法や試験条件にカスタマイズ
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HAST(PCT)
当社で保有する装置は、半導体や多層の基板評価等に適した試験装置です！
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解析技術：静電気破壊
SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用！IR-OBIRCHで故障箇所を特定
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新規次世代パワー半導体の研究開発拠点を開所
低損失化、高耐圧化、小型化の面で優位性を持つ、GeO2半導体の製膜事業の早期参入を目指す！
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「パワエレテクノセンター」を新規設立
高性能評価設備の拡充により、様々な半導体材料の評価や高度化するニーズに対応！
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問題の早期発見に繋がる「素子剥がし」
プリント基板の品質評価の精度を高める！当社の分析・故障解析をご紹介
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初期不良のデバイスを選別する「スイッチング試験」
通常の動作での寿命を予測！環境温度やスイッチング周波数等を任意に設定できる
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パワー半導体に特化した評価拠点「パワエレテクノセンター」開所
次世代半導体の試験ニーズの増加から、試験設備を拡充して受注キャパシティーや試験装置の生産を増加させていきます！
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耐静電気試験：ユニット/デバイス
静電気が電子機器や半導体部品に放電した際の耐性を、様々なモデル法を用いて幅広く評価します
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