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不良基準（電流値）の設定が可能！高温及び高電圧通電によりデバイス劣化及び特性等を評価

【仕様・サービス内容】 ■試験電圧：最大DC2000Vまで印加可能 ■印加電流：最大14mA ■試験数量：最大8個（電源独立） ■対応モジュール：TO-247､TO-220 等（その他のパッケージは接続方法など要相談） ■測定内容：リーク電流のモニタリング ■温度範囲：最大200℃（高温高湿の場合85℃/85％）

半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難をサポート

半導体製品の一連の工程のサンプル作製から信頼性評価試験、分析故障解析までトータルのソリューションを提供します。必要なサービスを必要なだけ、ご利用いただけます。 トータルソリューションとは、半導体製品に関わる部品・装置・材料の開発評価の困難（評価試料が準備できない／評価方法が不明、事前データが無い等）試料作製から、評価・解析まで御支援します。 【試料作製】 　●ウェハ工程 　　■汎用TEGの手配 　　■ダイシング 　　■チップソート 　　■外観検査 　　■梱包（チップトレイ・エンボステーピング） 　●パッケージング工程 　　■ダイボンディング 　　■ワイヤボンディング 　　■フリップチップ実装 　　■バンプ接合 　　■パッケージ組立

In-Situ常時測定 信頼性評価試験サービス

In-Situ常時測定 信頼性評価試験では、特性を測定しながら、ストレスを印加し信頼性評価試験を行います。 ●正確な故障時間の把握が可能 　決まった時間にストレス環境より取り出して測定するリードアウト方式では、リードアウトのタイミングでしか故障の把握ができず、正確な故障発生時間を知ることはできません。 　In-Situ測定では、正確な故障時間の把握ができます。 ●回復性故障の検出が可能 　回復性故障は市場において重大な問題を引き起こすことがあります。 　リードアウト方式ではこれら回復性故障の検出がほとんどの場合不可能ですが、In-Situ測定では回復性故障の検出が可能であり、正確な判断/判定ができます。 ●試料へのストレス印加状態の監視が可能 　ストレス印加状況および測定データをリアルタイムで確認できます。

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(mm） ・パワーデバイスアナライザによる特性評価 　最大電圧　3000V、最大電流　20A 　小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応 ・絶縁性評価イオンマイグレーション試験 　高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター 　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察

アイテスの解析・評価・試験サービスに使用する装置一覧です

■形態観察 　・レーザー顕微鏡 　・SAM/SAT 　・X線透視装置 　・SEM/FE-SEM ■電気特性測定 　・カーブトレーサ 　・パワーデバイスアナライザ ■不良解析・故障解析 　・EMS/IR-OBIRCH 　・EBIC ■試料加工 　・FIB 　・回転式研磨台 　・イオンポリッシャー 　・斜め切削装置 ■信頼性評価試験 　・液槽式/気槽式　冷熱衝撃試験装置 　・恒温恒湿器/バイアス試験 　・恒温槽 　・HAST/PCT/PCBT 　・In-Situ常時測定装置 ■ESD/ラッチアップ試験 　・ESDテスタ（HBM/MM/CDM/ラッチアップ） ■光学特性 　・全光束・光強度測定システム ■物理解析 　・SEM+EDX/EPMA 　・FE-TEM+EDS/EELS 　・STEM+EDS ■表面分析 　・AES 　・XPS 　・μFT-IR 　・AFM ■化学分析 　・GC-MS（HS/熱分解） 　・LC-MS 　・顕微ラマン分光装置

イオンマイグレーション評価の概略及び試験実施内容を掲載しています！

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーサイクル試験装置を使用したパワーサイクル試験の受託！故障解析・分析と合わせ品質向上に協力致します

【装置概要】 ＜シーメンス（メンター）「PWT2400A」＞ ■加熱用電源600A×4台を装備 ■ゲート用電源-10V～20V×16台を装備 ■最大16chのデバイスを同時に試験 ■JESD51-14に準拠した測定法によるTj測定 ■試験中に自動で過渡熱抵抗測定の実施 ■最高200℃まで対応した冷却プレートを装備 ■TOパッケージ用の治具も標準で装備 ■水冷式のモジュールにも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ダイアタッチやTIM材などの評価に好適！試作から評価まで対応致します

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

パワーデバイスに対して高温･高湿度環境下で最大1000Vの印加が可能！デバイスの劣化状況の推移もモニタリング

【仕様】 　試験電圧 ：最大DC1000Vまで印加可能 (正極コモン･保護抵抗110kΩ) 　試験数量 ：最大30個 (正極側) 　対応モジュール ：TO-247､TO-220 等 (その他のパッケージは要相談：ソケット調達可) 　測定内容 ：漏れ電流のモニタリング 　試験装置 ：温度制御範囲 105.0℃～142.9℃ 湿度制御範囲 75%RH～100%RH 　　　　　 　圧力範囲 0.020～0.196MPa（ゲージ圧） 【試験条件例】 　JESD22-A110E　､　 JEITA ED-4701-100A(試験方法302A)　等 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。