加圧RTA装置
基板加熱温度最高1000℃！基板表面加熱プロセス特有の元素抜けを軽減！
『加圧RTA装置』は、減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応 することができる製品です。 加熱源はハロゲンランプ、昇温レートは最大150℃/secとなっており、 優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現します。 半導体、MEMS、電子部品といった用途に使用できる装置で、基板表面の 高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能です。 【特長】 ■加熱プロセス特有の元素抜けを軽減 ■減圧プロセスから加圧プロセス（0.9MPaG）まで対応可能 ■基板表面の高速熱酸化、結晶化、アニーリング処理等が可能 ■優れた基板温度分布およびガスフロー方式を実現 ■トレイ搬送にも対応可能 ■マルチチャンバ仕様も製作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基本情報
【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■反応ガス：O2 、N2 、 H2O（オプション） ■基板加熱温度：最高1000 ℃（基板表面） ■加熱源：ハロゲンランプ ■昇温レート：最大150 ℃/sec ■真空排気：DP ■制御操作 ・制御：PLC ・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：大気搬送ロボット、冷却ステージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■半導体 ■MEMS ■電子部品 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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取り扱い会社
ジャパンクリエイトは、多様化する半導体産業に高精度化・省力化・微細化に対応すべく最先端技術にチャレンジして参りました。 私たちは、ハイテクノロジーに無限の可能性を求めて、ユーザーのニーズにマッチした確かなノウハウを独自性で創造します。 自らハイレベルな技術を目指して歩み続けます。
