Epitaxial-EB蒸着装置
最高900℃の高温プロセスが可能！エピタキシャル促進機構により単結晶成膜に適した製品です。
基本情報
【仕様】 ■基板サイズ：最大φ12インチ ■基板加熱温度：700℃（基板表面） ■蒸着材料：金属または酸化物 ■真空排気：CP+DP ■膜厚コントロール：水晶式膜厚センサ ■制御操作 ・制御：PLC ・操作：タッチパネルまたはPC ■データロギング：外部メモリまたはPC ■基板搬送：真空搬送ロボット ■オプション：基板加熱900℃（基板表面）、基板冷却、基板バイアス、基板回転 抵抗加熱蒸発源（最大6台）、反応ガス供給ユニットなど ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■LED素子 ■電子部品 ■光学部品 ■MEMS ■パワーデバイス ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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取り扱い会社
ジャパンクリエイトは、多様化する半導体産業に高精度化・省力化・微細化に対応すべく最先端技術にチャレンジして参りました。 私たちは、ハイテクノロジーに無限の可能性を求めて、ユーザーのニーズにマッチした確かなノウハウを独自性で創造します。 自らハイレベルな技術を目指して歩み続けます。
