【分析事例】電子部品
【分析事例】電子部品
電子部品の分析事例をご紹介します
61～90 件を表示 ／ 全 110 件
-
【分析事例】ZnO膜表面の形状観察
広域の表面形状観察が可能
最終更新日
-
【分析事例】高分子表面のイオン照射による損傷層の評価
GCIB（Arクラスター）を用いることで損傷層の成分・厚さ評価が可能
最終更新日
-
【分析事例】クロスハッチパターンの形状観察
高い垂直方向分解能で小さな凹凸を可視化可能
最終更新日
-
【分析事例】マイクロサンプリング法
FIB：集束イオンビーム加工
最終更新日
-
【分析事例】TOF-SIMSによる微小領域の定性・イメージ分析
サブμmオーダーの異物、微小領域の定性・イメージ分析が可能
最終更新日
-
【分析事例】はんだ剥離部断面のTOF-SIMS分析
微小領域の無機・有機物の分布評価が可能です
最終更新日
-
【分析事例】EGA-MS法による発生ガス分析
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
最終更新日
-
【分析事例】AES・SEM-EDXによるCu表面変色部の評価
SEM観察を行いながら検出深さの浅い元素分析が可能
最終更新日
-
【分析事例】Si-IGBTチップのキャリア濃度分布評価
フィールドストップ層およびライフタイムキラーのSRA評価
最終更新日
-
【分析事例】微小ビアのイメージ分析
微小領域の分布評価が可能です
最終更新日
-
【分析事例】石英・ガラス中の｢水」の評価
｢重水（D2O）処理」を用いた水素の深さ方向分析
最終更新日
-
【分析事例】XPS・AESによる深さ方向分析の比較
XPS：X線光電子分光法 AES：オージェ電子分光法
最終更新日
-
【分析事例】代表的な材料・目的別のTDS解析例
TDS：昇温脱離ガス分析法
最終更新日
-
【分析事例】エタノールをつけた綿棒の残渣分析
TOF-SIMSにより光学顕微鏡で見えないシミや洗浄残渣の分析が可能
最終更新日
-
【分析事例】AES分析による積層試料の割断面評価
割断サンプルで50nm薄膜を可視化
最終更新日
-
【分析事例】ウエハ表面の微小異物分析
加工無しで30nmサイズの組成分析が可能
最終更新日
-
【分析事例】高温XRDによる熱分解生成物の同定
昇温しながらXRD測定が可能
最終更新日
-
【分析事例】球面収差補正機能
TEM：透過電子顕微鏡法
最終更新日
-
【分析事例】炭素材料のラマンマッピング
試料面内における炭素の結晶状態分布を評価可能です
最終更新日
-
【分析事例】TDSによる腐食性ガス分析
製品に悪影響を及ぼすガスを確認できます
最終更新日
-
【分析事例】AESによるボンディング界面の元素分析
加工を併用することで界面の元素分析が可能
最終更新日
-
【分析事例】Si基板に含まれる格子間型炭素の評価
Si基板に含まれる微量な炭素の確認が可能です
最終更新日
-
【分析事例】ポジ型フォトレジストの構造解析
熱分解GC/MS法により感光剤の構造解析が可能
最終更新日
-
【分析事例】液中AFM測定を用いた基板上の高分子の形状変化観察
大気中・水溶液中での試料構造変化の可視化
最終更新日
-
【分析事例】Si系IGBTチップ断面の低温顕微PL分析
断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
最終更新日
-
GC/MSによる 発生ガス濃縮装置を用いたアウトガス分析
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
最終更新日
-
【分析事例】XPSによる単結晶Si表面のダメージ評価
高分解能測定と波形解析を利用してc-Siとa-Siの状態別定量が可能
最終更新日
-
【分析事例】はんだボール表面の酸化膜評価
球体形状試料の評価事例
最終更新日
-
【分析事例】グラフェンの官能基の評価
熱分解GC/MS法によりグラフェンの官能基の評価が可能
最終更新日
-
【分析事例】CMOSセンサの総合評価
スマートフォン部品のリバースエンジニアリング
最終更新日