株式会社アイテス 公式サイト

パワーデバイスをあらゆる角度から徹底評価、検証します

■パワーデバイスの信頼性試験 ・パワーサイクル試験 　定電流600A　max.(Vce=10V) 　同時に熱抵抗測定も可能 ・180℃対応　液槽熱衝撃試験 　温度範囲　-65℃～150℃、-40℃～180℃ 　液媒体　Galden D02TS/D03 　試料かご（最大）　W320ｘH240ｘD320(mm） ・パワーデバイスアナライザによる特性評価 　最大電圧　3000V、最大電流　20A 　小型の部品からパワーデバイスまで幅広く対応 ・絶縁性評価イオンマイグレーション試験 　高温高湿環境下で、実使用条件より高い電圧を印加して加速試験を実施 　パワーデバイスの保証寿命範囲内でマイグレーションが発生しないことを確認する試験 ・高温逆バイアス/ゲートバイアス試験 　高温高湿環境下の絶縁抵抗値の連続モニター 　チャネル数　120チャネル ■パワーデバイスの分析・解析 ・パワーチップの故障解析 ・はんだ接合部の解析 ・極低加速特殊SEMによるAlワイヤーのグレイン観察 ・半導体・パッケージ剥離部の非破壊観察

ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。

・パッケージ状態・開封済みチップ・チップ単体・Wafer状態の裏面研磨 　Siチップサイズ：200um～15mm ・IR-OBIRCH解析：　～100mA/10V　～100uA/25V　まで対応 　　　　　　　　　感度：数十pA 　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・エミッション解析：　～2kV　まで対応 　　　　　　　　　　感度：数nA 　　　　　　　　　　低倍最大視野：6.5mm角 ・特定位置精度：　±0.3um、試料厚1.5um～0.1um ・機械研磨SEM観察：　大きな破壊箇所・異物・広範囲の観察 ・拡散層観察：　TEM試料加工前に不良箇所近傍にて観察可能 　　　　　　　構造により前処理が必要な場合あり ・FIB-SEM観察：　クラック・形状異常・拡散層観察（～×50k） ・断面TEM観察：　ゲート酸化膜の破壊・転位（～400k） 　

TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。

■エミッション発光にて特定した故障部位は 　FIBにより薄片化しながら観察します。 ■電子の透過力の大きい加速電圧400kVのTEMにて 　故障部位を試料厚内に閉じ込めた状態での透過観察とFIB加工を繰り返し 　最適な像を得ることができます。 ■TEM像倍率をあらかじめ校正しておき 　2%以下の誤差で測長することもできます。

Si半導体とは物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります！

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！

【故障箇所特定から拡散層評価や結晶構造などの物理解析まで対応】 ■裏面発光/ OBIRCH解析による故障箇所特定 ■故障箇所への高精度位置特定、FIB加工 ■不良箇所のFIB/LV-SEM観察、EBIC解析による拡散層形状評価 ■TEM観察による結晶構造観察、元素分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

ソフトマテリアルの断面作製も実現！Auto Slice＆Viewで3D再構築も可能です！

【FIB-SEM複合装置概要】 ■垂直方向にSEMカラム、斜め方向にFIBカラムを搭載 ■FIB加工中の様子をSEMでリアルタイムに観察が可能 ■加工位置精度の向上 ■大気非暴露で観察、分析可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

TEM・STEMの分解能が向上！4本の検出器でEDS分析が可能になるなど性能が大幅に強化

※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。