テルモセラ・ジャパン株式会社 本社 公式サイト

＜30W ローパワー・エッチング制御精度10mW ダメージレス・繊細なエッチング処理を実現

【特徴・主なアプリケーション】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） 【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力制御 ◉ ガス最大3系統（Ar, O2標準付属） *N2、又はフッ化ガス系増設 ◉ PCソフトウエア付属：自動エッチングレシピ作成・保存・保存、データロギング 【寸法・ユーティリティ】 寸法：750（W） x 500（D） x 400（H）mm 電源：200V 単相 15A プロセスガス：0.17Mpa 99.99%推奨 ベントガス：34-41kpa 冷却水：1L/min, 400kpa, 18-20℃ 圧縮空気：413-550Kpa

高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置

◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。 ◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御（真空引/ベント、成膜レート、APC自動圧力制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など）を全自動運転（手動も可能） Windows PC用付属ソフト（IntelliLink）で装置モニター、データロギングができます。 【主な仕様】 ・RF/DCマグネトロン方式 ・2inchマグネトロンカソードx最大3 ・RF電源：150W 自動マッチング ・DC電源：850W ・対応基板サイズ：〜4inch ・基板回転・上下昇降・加熱（500℃） ・プロセスガス制御：MFC x 1（Ar標準、最大3系統増設：N2, O2） ・APC自動制御（キャパシタンスマノメータ オプション） ・水晶振動子膜厚モニタ ・シャッター ・寸法：804(W) x 570(D) x 600(H)mm ・重量：約70kg ・電源：200VAC 50.60Hz 15A ・チャンバーサイズ：Φ225（内径）x 250mm ・真空系：TMP + RP（ドライポンプ オプション）

限られたラボスペースを有効活用できる小型ベンチトップサイズ装置に、最新の真空蒸着技術の全てを収納しました。

◉寸法：804(W) x 530(D) x 600(H)mm ◉重量：40kg〜70kg（装置構成による） ◉優れた基本性能 ・到達真空度 5x10-5Pascal ・高性能ターボ分子ポンプ搭載 ・〜Φ4inch基板 ◉蒸着源 ・金属蒸着源 TE x 最大2基 ・有機蒸着源 LTE x 最大4基（抵抗加熱TEと混在の場合、2基まで） ◉7"タッチパネル ◉連続成膜 ・成膜プログラム自動制御 ・30種類のレシピ登録 ・高精度ワイドレンジ真空ゲージ ◉豊富なオプション ・基板回転 ・上下昇降 300mmストローク ・基板シャッター ・ドライポンプ（RP標準） ・USBでWindows PCに接続、ログの保存管理

スパッタカソード・蒸着ソース混在型薄膜実験装置 コンパクトフレームに金属蒸着・有機蒸着・スパッタカソードを設置

【仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ4inch ◉ スパッタリング：2"カソード x 最大3源 ◉ 真空蒸着：抵抗加熱蒸着（最大2）、有機材料蒸着（最大4） ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ APC自動圧力コントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ◉ 他、多彩なオプションを用意 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール

◉ 短時間 1バッチわずか30分で容易にグラフェン合成実験が可能 ◉ 高精度温度・圧力制御 ◉ 洗練されたソフトウエア

◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G（グラフェン用）◆ ・グラフェン作成用，真空プロセス制御 ・ロータリーポンプ標準付属（オプション：ドライスクロールポンプ） ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージMax1100℃ ・Kタイプ熱電対 ※ Ar, H2, CH4等の原料、及び原料供給設備は付属しません。

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】 ◉ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機膜蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、RF/DCスパッタリング（SP）、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング（RIE） ◉ チャンバー ・026（26Litter）-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option：MaxΦ6inch ・060（60Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ8inch ・080（80Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・090（90Litter）*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・125（125Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD：MaxΦ12inch ※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

【ホットウオール式熱CVD装置】基礎研究に最適なコンパクトサイズ高性能CVD装置

【特徴】 ◉ コンパクトなシステムでハイクオリティな成膜実験が可能 ◉ ホットウオール式 反応管内を均一に加熱 ◉ 4系統（CH4, Ar, H2, バブラー用）MFC高精度流量制御：精度±1% F.S. ◉ キャパシタンスマノメータ（バラトロンゲージ）による高精度APC圧力制御 ◉ Lab Viewソフトウエア（オプション）によるリモート制御, データ解析 【主仕様】 ◉ Φ2.5inch（標準）Φ4inch x12inch石英反応管内 ◉ 最高使用温度1100℃ ◉ 試料サイズ：10x10mm, （Φ2.5inch）100 x 100mm（Φ4inch） ◉ PID温度コントロール：Eurotherm 2416プログラム温度調節計 ◉ 流量制御：±1%F.S. 0sccm 〜 100, or 1000sccm（ガス種による） ◉ ロータリーポンプ付属

モジュラー組込式の為必要な成膜方法に応じ都度フレキシブルに専用機の組立が可能。様々な研究用途に対応可能な小型薄膜実験装置。

【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置 構成モジュール】 ◉ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機膜蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、RF/DCスパッタリング（SP）、T-CVD/PE-CVD、プラズマエッチング（RIE） ◉ チャンバー ・026（26Litter）-TE/LTE/SP/CVD/Etch/*Globe Box option：MaxΦ6inch ・060（60Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ8inch ・080（80Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・090（90Litter）*Globe Box option -TE/LTE/EB/SP/Etch/：MaxΦ10inch ・125（125Litter）-TE/LTE/EB/SP/Etch/CVD：MaxΦ12inch ※ その他仕様は当社ホームページ参照下さい。

小型、省スペース! 研究開発に最適 蒸着・スパッタ・アニール等目的に合わせてフレキシブルに構成

MiniLab-026は、シリーズ最小の26L容積チャンバを使用した小型薄膜実験装置です。 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（MiniLab-026）：590(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。 【主仕様】 ◉ チャンバ：SUS304製 クラムシェル式 ◉ 19inchシングル式ラックに全てを収納 ◉ 抵抗加熱蒸着源（最大4源）、有機蒸着源（最大4源）、又はΦ2"マグネトロン（最大3基）、基板加熱ステージなどを搭載 ◉ 高精度膜厚制御 ◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ（ドライポンプオプション） ◉ グローブボックス連結仕様（*要仕様協議） ◉ 豊富なオプション：基板加熱/冷却, 回転, 特型基板ホルダ, etc.. ＊その他のMiniLabシリーズ詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールをご要望の構成で組み立てることができるセミカスタムメイド薄膜実験装置

【主仕様】 ・SUS304 60ℓ容積 400x400x400mm フロントローディングチャンバー *ラージチャンバーオプションMiniLab-070（450 x 450 x 450） ・最大基板サイズ：Φ8inch ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4源（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4源（Model. LTEC-1cc/5cc) ・電子ビーム蒸着：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４源 ・プロセス制御：手動/自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ２ ・膜厚制御：Inficon社 SQM-160（又はSQC-310） 2ch/4ch薄膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, プラズマエッチング, ドライポンプ , ロードロック機構

蒸着・スパッタ・EB等ご要望によりフレキシブルに構成可能。 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

【主仕様】 ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4源点（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4源（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４源 ・プロセス制御：手動、又は自動多層連続成膜・多元同時成膜、APC自動制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQM-160（又はSQC-310） 多チャンネル成膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライスクロールポンプ , ロードロック機構

グローブボックス収納可能 PVDフレキシブル薄膜実験装置 高さ570mmトールチャンバー採用 蒸着時の均一性向上に寄与

【主仕様】 ・SUS304 80ℓ容積 400x400x570mm フロントローディングチャンバー ・ポンプ：ターボ分子ポンプ, ロータリーポンプ（ドライポンプも可） ・真空排気：真空/ベント自動制御 ・抵抗加熱蒸着：最大4源（Model. TE1～TE4蒸着源） ・有機蒸着：最大4源（Model. LTEC-1cc/5cc) ・EB電子ビーム蒸着源：7ccるつぼｘ６（又は4ccるつぼｘ8） ・Φ2〜4inchマグネトロンスパッタリングカソード x 最大４源 ・プロセス制御：手動、又は自動連続多層膜・同時成膜、APC自動制御 ・膜厚モニタ：水晶振動子センサヘッドｘ4 ・膜厚制御：Inficon社 SQM-160（又はSQC-310） 多チャンネル薄膜コントローラ  ・ユーティリティ：電源200V ３相 15A, 水冷3ℓ/min, N2ベント0.1Mkpa  ・その他オプション：基板加熱, 冷却, 基板昇降・回転, ドライエッチング, ドライポンプ

小型・省スペース! 有機薄膜開発に好適 蒸着・スパッタ・アニール等全ての作業をグローブボックス内でシームレスに行う事ができます。

【GB対応 MiniLab-026/090主仕様】 ◉ 基板サイズ：最大Φ6"(026）、最大Φ10"（090） ◉ チャンバ：SUS304製 UHV対応（*090はスライドドア式, 背面メンテナンスドア） ◉ 19inch制御ラックは作業ベンチ下に収納 ◉ MLチャンバー内成膜モジュール： ・抵抗加熱蒸着源（最大4源） ・有機蒸着源（最大4源） ・Φ2"マグネトロンカソード（最大3基） ・プラズマエッチング ・基板加熱ステージなどを搭載 ◉ 高精度膜厚制御 ◉ ターボ分子ポンプ+ロータリーポンプ（ドライスクロールポンプオプション） ◉ その他豊富なオプション ＊その他の詳細仕様は当社へお問い合わせ下さい。

有機蒸着源〜800℃、金属蒸着源〜1500℃、真空用 高温加熱セルとしても使用できる高性能真空蒸着ソースです。

【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ（標準） ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K タイプ、又はC タイプ 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御ボックス）

不純物なく金属・絶縁物等を堆積するRF, DC, パルスDC対応高効率マグネトロンスパッタカソード。メンテナンス性にも優れます。

【主仕様】 ■RF, DC, パルスDC対応 ■ターゲット厚さ：1/16"〜1/4" ■N型同軸コネクター接続 ■水冷式：4ℓ/min, 0.35Mpa Φ6mmチューブ接続 ■ケース材質：SUS304 ■ターゲットクランプ材質：Al, or SUS304 ■ベローズ（*Flexi-headタイプ）材質：SUS316 ■絶縁材：PEEK/PTFE ■シール材：Viton ■高強度マグネットパック：NiFe 【モデル】 ・MAG-BP（ベースポートマウント ・MAG-250T-FXH（Φ3/4" x 250mmパイプ、フレキシブル傾斜ヘッド±45°） ・MAG-250T（Φ3/4" x 250mmパイプマウント） ・MAG-ISO（ISO-Kタイプフランジ接続） ・MAG-CF（CFフランジ接続）

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"、又は6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar）

◉ 基板サイズ：Φ4inch、又は6inch ◉ SUS304水冷式チャンバー ◉ 到達圧力 5x10-5Pascal ◉ 最大3系統プロセスガス入力 ◉ 最大3系統マスフローコントローラ（オプション） ◉ 7"HMIタッチパネル ◉ 高精度ワイドレンジ真空ゲージ 10-9〜1000mbar ◉ USB端子付、PCデータロギング機能 ◉ ターボ分子ポンプ：EXT75DX（Edwards社） ◉ ロータリーポンプ：RV3/RV8（Edwards社）（*ドライポンプへの変更可能） ◉ Kタイプ熱電対（ヒーター制御用）付属

卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃！ 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。

◆装置構成◆ ご予算・目的に応じてご要望の構成をご提案致します。 (A)最小構成：チャンバー + 温度制御ユニット (B)上記最小構成(A) + 真空排気系（ポンプ、ゲージ、バルブ・真空配管類） ◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン(メタル炉), 又はタングステン/モリブデン多層シールド ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 6KVA ・冷却水：3L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆コントロールボックス仕様◆ ・プログラム温度調節計 ・DC電源装置、又は外付トランスボックス ・電流、電圧計 ・ヒーター回路トリップSW ・主電源SW ◆オプション◆ ・真空排気系 ・特注るつぼ 他

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉

◆基本仕様◆ ・ヒーター：C/Cコンポジット, PGコートC/Cコンポジット(カーボン炉）, タングステン(メタル炉) ・断熱材：グラファイトフェルト材(カーボン炉）, タングステン/モリブデン(メタル炉)、又はW/Mo多層シールド ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ・7inchタッチパネル操作 ・デジタル真空計 ・MFC最大3系統自動調整（又はフロートメーター手動流量調整） ・温度制御：デジタルプログラム調節計、C熱電対 ・到達真空度：1x10-2Pascal（*但し空炉の場合） ・一次側電源仕様：AC200V 50/60HZ 三相 50A NFB ・冷却水：8L/min, 0.4Mpa 25〜30℃ ◆オプション◆ ・真空排気系：ロータリーポンプ, 高真空ポンプ, バルブ類

PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。

【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【熱電対】 ◉ Kタイプ、又はCタイプ 【ヒーター素線材質】 ◉ Max 1800℃：Graphite, C/Cコンポジット素線_（真空中, Ar, N2） ◉ Max 1500℃：SiCコーティング素線_（真空中, Ar, N2, O2） ◉ Max 1600℃：タングステン素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 1400℃：タンタル素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 900℃：カンタル 素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2） ◉ Max 900℃：NiCr素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2, 大気

CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター

大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr（SH-IN型）, W/BNコンポジット（SH-BN型） ◎ 最高使用温度 ・850℃（SH-IN型）, 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch（*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ） ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, H2, He, CH4, C（*O2不可） ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ（JIS, ICF, ISO） ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini

超高温基板加熱ステージに、基板昇降・回転、RF/DC基板バイアスの全てが1台で可能! 'All-In-One'コンポーネント

◉ 超高真空・不活性ガス雰囲気中・その他各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ ステージ上下昇降（基板又はヒーター昇降、基板&ヒータ二段昇降式） ◉ 基板回転 ◉ RF(1KW)/DC(800V)バイアス印加（逆スパッタ） ◉ 使用環境に応じたエレメントの選択： グラファイト, CCコンポジット, ハロゲンランプヒーター, グラファイト/SiCコーティング, グラファイト/PBNコーティング, PGコーティング, AlNヒーター ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, ISO(KF/LF), JIS(VG/VF)フランジ ◉ K, C, R熱電対付属 ◉ その他オプション：温度制御ユニット, Inc, グラファイト or SiC基板ホルダー

真空用 超高温円筒状ヒーターユニット 最高温度1800℃（グラファイト、C/Cコンポジット）

◎ 使用可能環境：真空中, 不活性ガス中 etc.. ◎ 発熱体：Graphite, C/Cコンポジットヒーター、SiCコーティング、PGコーティング、タングステン、タンタル、など。 ◎ 製作範囲：ヒーター部（Φ150 x 100mm程度まで）導入フランジ、温度制御ユニット ◎ 用途：各種真空装置プロセスチャンバー内での試料加熱、放電プラズマ生成ユニット熱電子銃（Lab6）用、ガス供給系統配管急速加熱（液体急速気化） その他ご要望に応じ、特注仕様製作致します。詳細は当社までお問い合わせ下さい。

真空用 高温るつぼ加熱ヒーター。有機蒸着源 800℃、金属蒸着源 1500℃、としても利用できるバーサタイルなヒーターユニット

【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ（標準） ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K タイプ、又はC タイプ 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線 ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御ボックス）

ローコスト 必要最小構成（手動制御）管状炉・拡散炉・熱CVDとして応用可能

【主な仕様】 ・炉内温度Max1200℃, 試料最大温度Max950℃ ・小片試料：数ミリサイズ〜3inchウエハーサイズまで対応 ・基板枚数：1〜3枚程度 ・石英サセプタ手動昇降式：停止位置目盛、クランパ付き ・炉芯管：Φ100 x Φ95 x 470L mm ・昇降：手動回転ハンドル ・温度調節：PIDプログラム温度調節計 ・熱電対：2対式K熱電対x1（制御用、過昇温用）、Kタイプ素線（炉芯測温用）