【SH 高温基板ヒーター】PVD, CVD用 Max1100℃
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）
基本情報
大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr（SH-IN型）, W/BNコンポジット（SH-BN型） ◎ 最高使用温度 ・850℃（SH-IN型）, 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch（*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ） ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, H2, He, CH4, C（*O2不可） ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ（JIS, ICF, ISO） ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini
価格情報
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納期
型番・ブランド名
SH-IN series, SH-BN series
用途／実績例
半導体・電子部品基板基礎技術開発分野でのCVD, PVD（PLD, ALD, 蒸着, スパッタリング）などの薄膜実験、物性研究、材料分析などの研究開発用途に最適、又、生産用途装置での活用も可能です。
詳細情報
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SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ
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SH-IN-1.6inch custom heater Inconel 1.6inch heater right angled CF114 flange
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SH-BN-1.6inch heater with bracket SH-BN-1.6inch heater with bracket
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SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例 SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例
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SH-IN-2.2inch customer heater CF203 flange, Heater quarter faced
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SH-IN-1.6inch-600℃昇温中 SH-IN-1.6inch-600℃昇温中
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SH-IN-2.2inch-R【基板回転機構】 SH-IN-2.2inch-rotation stage CF114 base flange
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【ターゲット・カルーセル】基板ヒーターオプション 【PLD (Pulsed Laser Deposition) システム用自動ターゲット回転機構】 ・ターゲットサイズ：1inch or 2inch ・ターゲット数：最大3個まで ・接続フランジ：8inch (ICF203) ・自公転：ターゲット選択（公転）、ターゲット回転（自転） ・19inchラックマウント式専用コントローラー
関連動画
ラインアップ（12）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| SH-IN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-BN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
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この製品に関するニュース（60）
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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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☆★☆【nanoETCH】ソフトエッチング装置☆★☆
＜30W低出力制御によるダメージレスエッチング 出力制御精度10mWで、繊細なエッチング処理を実現。 2010年グラフェン発見でノーベル賞受賞者率いる マンチェスター大学グラフェン研究グループとの共同開発製品。 【特徴】 • 2D（遷移金属カルゴゲナイド, 材料転写後のグラフェン剥離）：表面改質クリーニング • PMMA, PPA等のポリマーレジスト除去 • テフロン基板などのダメージを受けやすい基板での表面改質、エッチング • h-BNサイドウオールエッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, SF6ガス系統要） • SiO2エッチング（*『フッ化ガス供給モジュール』オプション, CHF3ガス系統要） 仕様】 ◉ 対応基板：〜Φ6inch ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動シーケンス ◉ APC自動圧力コントロール ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、自動エッチングレシピ作成・保存。PCでデータロギング
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◆◇◆【nanoCVD-8G】 グラフェン合成装置◆◇◆
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。