【SH 高温基板ヒーター】PVD, CVD用 Max1100℃
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）
基本情報
大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr（SH-IN型）, W/BNコンポジット（SH-BN型） ◎ 最高使用温度 ・850℃（SH-IN型）, 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch（*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ） ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, H2, He, CH4, C（*O2不可） ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ（JIS, ICF, ISO） ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini
価格情報
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納期
型番・ブランド名
SH-IN series, SH-BN series
用途／実績例
半導体・電子部品基板基礎技術開発分野でのCVD, PVD（PLD, ALD, 蒸着, スパッタリング）などの薄膜実験、物性研究、材料分析などの研究開発用途に最適、又、生産用途装置での活用も可能です。
詳細情報
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SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ SH-IN-2.2inch-サンプル固定クリップ
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SH-IN-1.6inch custom heater Inconel 1.6inch heater right angled CF114 flange
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SH-BN-1.6inch heater with bracket SH-BN-1.6inch heater with bracket
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SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例 SH-IN-2.2inch-裏面支柱x4設置例
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SH-IN-2.2inch customer heater CF203 flange, Heater quarter faced
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SH-IN-1.6inch-600℃昇温中 SH-IN-1.6inch-600℃昇温中
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SH-IN-2.2inch-R【基板回転機構】 SH-IN-2.2inch-rotation stage CF114 base flange
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【ターゲット・カルーセル】基板ヒーターオプション 【PLD (Pulsed Laser Deposition) システム用自動ターゲット回転機構】 ・ターゲットサイズ：1inch or 2inch ・ターゲット数：最大3個まで ・接続フランジ：8inch (ICF203) ・自公転：ターゲット選択（公転）、ターゲット回転（自転） ・19inchラックマウント式専用コントローラー
関連動画
ラインアップ（12）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| SH-IN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-BN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
カタログ（37）
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この製品に関するニュース（60）
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◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃
HTEヒーターは最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用頂けます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーター仕様は、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）
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★★テルモセラ・ジャパン_薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2022」★★
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。 研究開発分野向け、各種薄膜実験装置・コンポーネントを紹介します。 【nano Benchtopシリーズ】 卓上型・ハイパフォーマンス！nano Benchtopシリーズ薄膜実験装置 コンパクトサイズに、高機能・ハイスペックな薄膜装置を収納 【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】 多彩な装置構成、必要なコンポーネントを要求仕様に合わせて組み合わせ構成する「フレキシブル実験装置」 ● 掲載装置 - nanoPVD-S10A卓上型マグネトロンスパッタリング装置 - nanoPVD-T15A卓上型有機膜・金属膜蒸着装置 - nanoCVDグラフェン合成装置 - ANNEAL卓上型ウエハーアニール装置 - MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置 - MiniLab-GBグローブボックス式薄膜実験装置 - 他、コンポーネント類
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★☆★☆【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置★☆★☆
MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： NiCr, Inconel, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング） CCコンポジット（PGコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス
取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。
