【SH 高温基板ヒーター】PVD, CVD用 Max1100℃
CVD, PVD（蒸着, スパッタ等）均熱性・再現性に優れた高真空 超高温 ウエハー・小片チップ加熱用 プレートヒーター
ヒータープレートにインコネルもしくはBNプレートを採用した、熱放射効率が良く、均熱性に優れた成膜装置・真空薄膜実験用高真空対応ホットプレートです。 【ラインナップ】 ◎ SH-IN（インコネルプレート）：φ1.0〜φ6.1inch 真空・O2・活性ガス用 ◎ SH-BN（BNプレート, Moカバー）：φ2.1〜φ6.1inch 真空・不活性ガス用 【特徴】 ◎ 最高温度1100℃（SH-BN）, 850℃（SH-IN） ◎ 短時間昇温 ◎ 面内温度分布 ±2%以内 ◎ 制御精度・再現性±1℃ ◎ 低価格 ◎ 短納期（標準約2週間 *フランジ付き, 回転・上下機構, 取付ブラケット付きなどは除く）
基本情報
大学・官公庁研究機関で真空薄膜実験用に多数の採用実績がある信頼性高い超高温真空用 プレートヒーターです。独自の方法で高真空用に放電対策絶縁処理された端子部、超高温均一加熱が得られる様工夫された抵抗発熱式加熱ブロックを内蔵、ヒータープレート表面を短時間で高温まで加熱昇温することができます。 ◆ヒーター仕様◆ ◎ 使用発熱体 ・NiCr（SH-IN型）, W/BNコンポジット（SH-BN型） ◎ 最高使用温度 ・850℃（SH-IN型）, 1100℃SH-BN型 ◎ 対応基板サイズ ・1〜6inch（*1, 1.6inchはインコネルタイプのみ） ◎ 使用雰囲気 ・SH-IN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, 大気, O2, NH3, SiH4, CH4他 ・SH-BN：真空（1x10-7Torr）, 不活性ガス, H2, He, CH4, C（*O2不可） ◎ 基板固定用サンプルクリップ付属 ◆オプション仕様◆ ◎ 真空フランジ（JIS, ICF, ISO） ◎ 基板回転, 上下昇降機構 ◎ ヒーターコントローラ Model. BWS-PS/HC-Mini
価格情報
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納期
型番・ブランド名
SH-IN series, SH-BN series
用途／実績例
半導体・電子部品基板基礎技術開発分野でのCVD, PVD（PLD, ALD, 蒸着, スパッタリング）などの薄膜実験、物性研究、材料分析などの研究開発用途に最適、又、生産用途装置での活用も可能です。
関連動画
ラインアップ（12）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| SH-IN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-IN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ インコネルプレート 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He, O2 |
| SH-BN-1.0inch | 加熱部Φ1.0inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-1.6inch | 加熱部Φ1.6inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-2.2inch | 加熱部Φ2.2inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-3.1inch | 加熱部Φ3.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-4.1inch | 加熱部Φ4.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
| SH-BN-6.1inch | 加熱部Φ6.1inch Max 850℃ BNプレート（Moカバー付き） 使用雰囲気：真空（1x10-7Torr〜760Torr）, Ar, N2, H2, CH4, He |
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この製品に関するニュース（60）
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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★☆★☆【MiniLab-026】R&D開発用 小型薄膜実験装置★☆★☆
モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4極 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、自動成膜コントローラ、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
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★☆★☆【MiniLab-026】R&D用 フレキシブル薄膜実験装置★☆★☆
モジュラー式コンポーネント・制御機器設計による豊富なバリエーション。様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。小型省スペース・シンプル操作・ハイコストパフォーマンスを実現した、フレキシブルR&D用薄膜実験装置です。 マグネトロンスパッタ（最大3元）もしくは抵抗加熱蒸着（金属源 最大2、有機材料x4）に対応します、又基板加熱ステージを設置しアニール装置、RFエッチングも製作可能。 グローブボックス収納タイプもございます（*要仕様協議）。 フレキシブルにカスタマイズが可能な豊富なオプション部品を揃えております。 ◉ Φ2inchマグネトロンカソード（最大3元） ◉ 抵抗加熱蒸着源フィラメント、ルツボ、ボート式（最大4元 コントローラで自動切替） ◉ 有機蒸着セル：1cc or 5cc ◉ グローブボックス搭載可能（オプション 要仕様協議） ◉ その他オプション： 同時成膜、HiPIMS、デポレート・膜厚レート制御、特注基板ホルダ、ロードロック、基板回転/加熱・冷却などオプション豊富。 ※ まずはご要求の仕様をご連絡下さい、ご要望に合わせシステム構成致します。
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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S070】
Φ2inchカソード x 4元搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF150W or DC780W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF150W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） デポレート・膜厚レート制御 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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★【MiniLab-070】フレキシブル薄膜実験装置★ テルモセラ・ジャパン
コンパクト/省スペース、ハイスペック 70ℓ容積 蒸着・スパッタ・EB・アニールなどの薄膜モジュールを組込みことができる、様々な用途に対応可能なマルチ薄膜実験装置 コンパクト/省スペース、ハイスペック薄膜実験装置 下記蒸着源から組合せが可能 ・抵抗加熱蒸着元 x 最大4 ・有機蒸着元 x 最大4 ・電子ビーム蒸着 ・2inchマグネトロンスパッタリングカソード x 4 ・プラズマエッチング：メインチャンバー、ロードロックチャンバーのいずれでも設置可能 【スモールフットプリント・省スペース】 ・デュアルラックタイプ（MiniLab-060）：1200(W) x 590(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、且つ安全に最大限配慮しております。
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【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。