BHシリーズ【超高温薄膜実験用基板加熱ヒーター】Max1800℃
PVD、CVDなどの薄膜実験用基板加熱ヒーター均一性・昇温特性・制御性に優れたヒーターです。RF/DCバイアス仕様も可能。
高真空対応 多彩なヒーター材質オプション。 PVD（スパッタ、蒸着、EB等）、CVDなどの各種真空薄膜実験、高温真空アニール、高温試料解析用基板ステージ、などに応用いただけます。 様々なご要望仕様にカスタムメイド対応致します。 【特徴】 ●セミカスタム製品です。ご要望に応じて設計製作いたします。 ●予備ヒーター素線との交換が容易 ●設置、メンテナンスが容易（M6スタッドボルト、支柱） ●RF/DCバイアス、基板回転などにも対応 【標準付属品】 ● 熱電対：素線タイプ アルミナ絶縁スリーブ付き ● 取付用スタッドボルト 【オプション】 ● RF（150W）/DC（1KW）バイアス印加 ● 標準外ヒーター素線（Nb, Mo, Pt/Re, WRe他） ● 基板保持クリップ ● 取付ブラケット ● 基板ホルダー ● ホルダー設置用タップ穴加工 ● トッププレート材質変更（PBN, 石英, カーボン, Inconel, 他） ● 過昇温用追加熱電対 ● ベースフランジ、真空導入端子
基本情報
【対応基板サイズ】 ◉ Φ1inch〜Φ6inch 【熱電対】 ◉ Kタイプ、又はCタイプ 【ヒーター素線材質】 ◉ Max 1800℃：Graphite, C/Cコンポジット素線_（真空中, Ar, N2） ◉ Max 1500℃：SiCコーティング素線_（真空中, Ar, N2, O2） ◉ Max 1600℃：タングステン素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 1400℃：タンタル素線_（真空中, Ar, N2, He, H2） ◉ Max 900℃：カンタル 素線（真空中, Ar, N2, He ,O2, H2） ◉ Max 900℃：NiCr素線_（真空中, Ar, N2, He, H2, O2, 大気
価格情報
詳細は当社までお問い合わせください。
価格帯
10万円 ~ 50万円
納期
応相談
仕様により納期が変動します、当社までお問い合わせ下さい。
型番・ブランド名
BHS series
用途／実績例
PVD（スパッタ, ALD, PLDなど）CVD基板加熱ヒーター、分析装置試料加熱用ステージ、高温基板加熱ステージ・ホルダー、など。
詳細情報
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この製品に関するニュース（60）
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◆HTEヒーター◆ 高真空るつぼ加熱ヒーター Max1500℃
HTEヒーターは最高使用温度1500℃の真空装置用高温加熱ヒーターです。 蒸発温度の高い材料も蒸発することができますので、低温有機蒸着（～ 800℃）セルから高温抵抗加熱蒸着（～ 1500℃）MBEセルまで、真空高温ヒーター・蒸着セルとして幅広い様々な用途に活用頂けます。 シャッター・アクチュエータ、水冷ジャケットも用意。 800℃以上の高温ヒーター仕様は、内部シールドを備え、断熱・熱遮蔽を考慮した設計。 【主仕様】 ■最高制御温度：800℃、又は1500℃ ■使用環境：真空中・不活性ガス（*O2 は800℃まで） ■ヒーター：タングステンフィラメント ■るつぼ容積：1cc（最大充填量1.5cc） ■るつぼ材質：アルミナ ■ケース材質：SUS304, 又はモリブデン ■熱電対：K、又はC 【オプション】 ⚫︎るつぼ材質：PBN, グラファイト, 石英 ⚫︎ヒーター：NiCr 線, カンタル線（*O2 用） ⚫︎るつぼ容積：10cc（最大充填量15cc） ⚫︎シャッター：空圧式, 又はモーター駆動 ⚫︎水冷ジャケット ⚫︎コントローラー（ヒーター・シャッター制御）
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★★テルモセラ・ジャパン_薄膜実験装置_「PRODUCTS GUIDE 2022」★★
半導体・電子デバイス・燃料電池・ディスプレイなどの研究開発用各種実験装置、薄膜実験装置を紹介。 研究開発分野向け、各種薄膜実験装置・コンポーネントを紹介します。 【nano Benchtopシリーズ】 卓上型・ハイパフォーマンス！nano Benchtopシリーズ薄膜実験装置 コンパクトサイズに、高機能・ハイスペックな薄膜装置を収納 【MiniLabフレキシブル薄膜実験装置】 多彩な装置構成、必要なコンポーネントを要求仕様に合わせて組み合わせ構成する「フレキシブル実験装置」 ● 掲載装置 - nanoPVD-S10A卓上型マグネトロンスパッタリング装置 - nanoPVD-T15A卓上型有機膜・金属膜蒸着装置 - nanoCVDグラフェン合成装置 - ANNEAL卓上型ウエハーアニール装置 - MiniLabシリーズフレキシブル薄膜実験装置 - MiniLab-GBグローブボックス式薄膜実験装置 - 他、コンポーネント類
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★☆★☆【MiniLab（ミニラボ）】シリーズフレキシブル薄膜実験装置★☆★☆
MiniLab薄膜実験装置は、豊富なオプションから必要な成膜方法・材質に応じて都度最適なコンポーネント、制御モジュールを組み込むことにより、セミカスタムメイドで無駄を省いたコンパクトな装置を構築することができます。モジュラー式制御ユニットをPlug&Play 感覚で搭載することにより応用範囲が広がり、様々な薄膜プロセス実験への応用が可能になります。 【MiniLab薄膜実験装置 構成モジュール】 ◎ 製作範囲 抵抗加熱蒸着（TE）、有機蒸着（LTE）、電子ビーム蒸着（EB）、スパッタリング（SP）、CVD、ドライエッチング 【スモールフットプリント・省スペース】 ・シングルラックタイプ（026）：590(W) x 590(D)mm ・デュアルラックタイプ（060）：1200(W) x 590(D)mm ・トリプルラックタイプ（125）：1770(W) x 755(D)mm 【優れた操作性・直観的操作画面】 Windows PC、または７”タッチパネル。熟練度を問わない簡単操作、安全にも最大限配慮しております。チャンバー内部品調整、材料交換以外の全ての操作はPC/HMI画面で行います。
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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ホットステージ【基板加熱機構】超高温基板加熱ステージ Max1800℃_Φ2〜Φ6inch
半導体, 電子デバイス等の開発, 真空薄膜プロセス用【高温基板加熱機構】 シリコン基板, サファイア基板, 化合物基板他様々な成膜実験用に活用いただけます。 CVD, スパッタ等の真空装置用超高温Max1800℃基板加熱条件に応じたエレメント、材料の選定が可能 ◉ 超高真空・不活性ガス・O2・各種プロセスガス雰囲気に対応 ◉ 基板上下/回転機構及びRF/DCバイアス印加可能 ◉ 雰囲気に応じたエレメントの選択： NiCr, Inconel, タングステン, グラファイト, CCコンポジット, グラファイト（SiCコーティング, PBNコーティング） CCコンポジット（PGコーティング） ◉ 各種真空フランジ接続：ICF, VF ◉ 熱電対付属 ◉ その他オプション：モーターコントローラ, 温度制御ユニット, トランスボックス
取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。
