【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】LSI・メモリ
LSI・メモリの分析事例をご紹介します
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【分析事例】トランジスタ（MOSFET）の拡散層分布評価
SCMによる特定箇所の拡散層評価
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【分析事例】ホール側壁ONO膜の構造観察
FIB法による特定箇所の平面TEM観察
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【分析事例】SIMSによる極浅ドーパント分布の高精度分析
高い再現精度で評価可能
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【分析事例】シリコンウェハ上の汚染原因調査
手袋由来の汚染の評価
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【分析事例】最表面シラノール基の評価
TOF-SIMSでシラノール基の定量的な評価が可能です
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【分析事例】Si表面のH終端の解析
処理の違いによるSi表面のSiHや状態の定性・相対比較
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【分析事例】SIMSによる極浅注入プロファイルの評価
極浅い領域においてもドーパント分布・接合の評価が可能
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【分析事例】素子分離領域の歪解析
NBD：Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析
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【分析事例】TEM・SEM有機EL・ゲート酸化膜の断面観察
低加速STEM観察により、低密度な膜でもコントラストがつきます
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【分析事例】酸化チタンアナターゼ型とルチル型の判別
TEM-EELSにより、微小領域の元素同定・化学状態分析が可能です
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【分析事例】SSDP-SIMSゲートから基板へのB突き抜け量評価
SSDP-SIMSによる測定面の凹凸・高濃度層の影響を避けた測定
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【分析事例】IGZO
酸化物半導体のXRD・XRR分析事例
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【分析事例】めっき・塗装等の剥離原因調査
TOFーSIMSによる剥離面の汚染源の特定
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【分析事例】熱履歴を考慮した異物の成分同定
熱履歴を揃えた標準試料の活用提案
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【分析事例】ポリイミド成分の深さ方向分析
TOF-SIMSによる高分子・樹脂・フィルムの表面改質層の深さ方向の評価が可能
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【分析事例】成膜成分のウェハ裏面への回り込み評価
ベベル部近傍にて金属成分の定量的な評価が可能
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【分析事例】微小部XRD分析による結晶構造評価
微小領域のXRD測定が可能
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【分析事例】シリコン(Si)酸化膜の状態評価
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
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【分析事例】アルミニウム(Al)表面のOHの分布、状態評価
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捕らえることが可能
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【分析事例】Si自然酸化膜の膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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【分析事例】特殊形状試料のSIMS測定
固定方法の工夫により特殊な形状でも分析可能
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【分析事例】300mmウェハ最表面の異物の評価
異物検査装置との座標リンケージ機能で特定異物の評価が可能
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【分析事例】有機成分洗浄効果の評価
300mmウェハをそのまま測定できます
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【分析事例】はんだ合金中の添加物面内分布評価
ppmレベルの添加物の分布を高感度に評価可能
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【分析事例】SiN膜中水素の結合状態別の定量
赤外吸収法によりSiN膜中のSi-H、N-Hを定量
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半導体のイオン化ポテンシャル評価
UPS：紫外光電子分光法
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透過EBSD法による30nm以下の結晶粒解析
EBSD：電子後方散乱回折法
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定量計算における妨害ピーク除去処理
XPS：Ｘ線光電子分光法
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SRAの深さ換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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SRAの濃度換算について
SRA：広がり抵抗測定法
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