【分析事例】LSI・メモリ
【分析事例】LSI・メモリ
LSI・メモリの分析事例をご紹介します
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RAE検出器を用いた大口径イメージングSIMS
SIMS：二次イオン質量分析法
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【分析事例】IC法によるSi含有溶液中のTMAH分析事例
IC（イオンクロマトグラフ）法でアミン類の測定が可能です
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【分析事例】IC法による溶液中の有機酸の分析
溶液中の有機酸の定性・定量分析が可能です
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【分析事例】銅(Cu)の酸化膜厚評価 保管環境による違い
TOF-SIMSで無機物の分子情報を深さ方向に捉えることが可能
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【分析事例】銅(Cu)表面自然酸化膜の層構造・膜厚評価
TOF-SIMSによる深さ方向の状態評価
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低温フォトルミネッセンス測定の注意事項
PL：フォトルミネッセンス法
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【分析事例】エッチングによる有機付着物除去
表面汚染を除去してXPSによる評価を行います
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ケミカルシフトによる金属酸化物の価数評価
XPS：X線光電子分光法
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【分析事例】チタン酸ストロンチウムSrTiO3の原子カラム観察
Csコレクタ付STEMによる高分解能STEM観察
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極点測定
XRD：X線回折法
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電子回折の種類と特徴
TEM：透過電子顕微鏡法
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揮発性有機化合物（VOC）P&Tによる微量成分の検出
GC/MS：ガスクロマトグラフィー質量分析法
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【分析事例】溶液中の窒素成分の評価
無機窒素を形態別に分析可能です
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【分析事例】TOF-SIMS Siウエハ保管による表面汚染評価
フッ酸処理で酸化膜を除去したSiウエハの汚染・酸化の評価
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【分析事例】TOF-SIMSによるニッケルめっき剥離面の評価
めっきの剥がれ、密着不良をTOF-SIMS分析で原因調査
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SiGe中不純物の高精度定量評価
SIMS：二次イオン質量分析法
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【分析事例】表面酸化膜のある異物の状態評価
水酸化アルミニウムAl(OH)3と酸化アルミニウムAl2O3の評価が可能です
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【分析事例】イオン注入アニール処理後Si低温PLスペクトル
照射欠陥やアニールによる結晶性の回復を確認することが可能です
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【分析事例】室内雰囲気中の腐食成分分析
インピンジャー捕集法による大気中イオン成分の分析が可能です
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【分析事例】極薄SiON膜の組成・膜厚評価
光電子の平均自由行程を用いた膜厚の見積もり
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垂直入射法による深さ方向分解能の向上
SIMS：二次イオン質量分析法
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SEM装置での歪み評価
EBSD：電子後方散乱回折法
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【分析事例】シリコン単結晶中の格子間原子濃度の定量
赤外吸収法により非破壊で格子間酸素・炭素濃度を定量
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高純度雰囲気下での前処理・測定
XPS：X線光電子分光法など
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FIB低加速加工
FIB：集束イオンビーム加工
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【分析事例】白色粉体の複合分析
FT-IR分析とXRF分析による粉体の同定
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【分析事例】SIMSによるSiON膜の評価
膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能
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【分析事例】SIMSによるSi表面近傍のBの深さ方向分布評価
試料冷却による高精度なBのプロファイル分析
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【分析事例】バイポーラトランジスタの拡散層構造評価
ｐｎ判定を含む拡散層の構造を明瞭に観察可能
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【分析事例】微細トランジスタの構造評価
Csコレクタ付TEMによる高分解能TEM観察
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