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【分析事例】SiON膜の評価

膜厚1nm程度のSiON中Nの評価が可能

高感度なSIMS分析が得意とする低濃度領域に至るまで、SiON膜中Nの分布を深さ方向に評価し、N量(単位:atoms/cm2)を高い精度で評価が可能です(図1)。またNをatomic%へ変換(図2)、Nのフィッテングカーブ算出することができ、フィッティングによりNのピーク濃度・深さ・半値幅を算出(図3)することが可能です。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

基本情報

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価格情報

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用途/実績例

LSI・メモリの分析です

取り扱い会社

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