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【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価

試料冷却による高精度なBのプロファイル分析

デバイスの設計の上で特性に大きく影響を与えるSi中Bの濃度分布は、SIMS分析により高感度・高深さ方向分解能での評価が可能です。しかし、一般的な分析条件では、測定起因によりBの濃度分布に歪みが生じることがわかりました。 MSTでは試料冷却がこの歪み補正に有効であることを確認し、より高精度な濃度分布の評価が可能になりました。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

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メモリ・LSI・電子部品の分析です

【分析事例】Si表面近傍のBの深さ方向分布評価

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