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【分析事例】素子分離領域の歪解析

NBD:Nano Beam Diffractionによる微小領域の歪解析

NBD法では電子線が試料中で回折する角度(電子回折スポット位置)の変化から、格子歪に関する知見を得ることができます。任意の晶帯軸入射方向で、デバイスパターンに合わせた測定が可能です。 素子分離領域(LOCOS周辺)のSi基板について測定した結果、熱処理温度・結晶方向によって歪量が異なっていることが確認できました。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

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LSI・メモリの分析です

【分析事例】素子分離領域の歪解析

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