MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉2000℃
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
基本情報
安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。 ◆主仕様◆ ・断熱材：グラファイトフェルト、タングステン、モリブデン、アルミナ、ジルコニアなど（*炉内設計により異なります） ・チャンバー開閉：トップローディング、リニアドライブ駆動（又はダンパー付手動開閉） ・到達真空度：1x10-2Pascal（空炉の場合） ・真空ポンプ：ドライスクロールポンプ ・真空計：ワイドレンジ真空計 大気圧〜10-9 mbar ・熱電対：Cタイプ熱電対（設計温度条件によってはKタイプを採用） ・インターロック：チャンバー過昇温、ヒーター過昇温、冷却水断水、チャンバー開閉、真空度 ・用力：200V, 50A（*仕様により異なります）3相 ・冷却水:8L/min,0.4Mpa ・寸法（筐体部）：1240(W) x 590(D) x 1160(H)mm ◆オプション◆ ・るつぼ内温度測定用熱電対追加 ・高真空ポンプ（ターボ分子ポンプ） ・フロントビューポート ・フルオートコントロール ・基板回転ステージ ・通信機能（温調計機能使用）、又はSECS/GEM通信
価格情報
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納期
型番・ブランド名
MiniLab-WCF
用途／実績例
◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・新素材開発 ・その他各種先端材料基礎開発に応用
詳細情報
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この製品に関するニュース（59）
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nanoPVD-S10Aスパッタ装置 標準規格品登場！従来よりお求めやすい価格・短納期でご提供可能になりました。
標準 在庫規格品、従来よりお求めやすい低価格・短納期でのご提供が可能になりました。 *下記構成に限ります。又、在庫状況も変わりますので詳細は当社までお問い合わせください。 【nanoPVD-S10A標準構成仕様】 ● 基板ステージ：Φ4inch、基板シャッター付 ● 最高到達圧力：5 x 10-5 Pa（10-3paまで10分、10-4paまで20分以内） ● 2"マグネトロンカソード x 2：自動連続多層膜, 2源同時成膜（RF/DCのみ） ● RF150W、DC780W 電源搭載 ● プロセスガス3系統（Ar, O2, N2） ● 主排気TMP、粗挽RP（*ドライポンプ オプション） ● Windows PCリモートソフトウエア"IntelliLink"付属：システムライブモニター、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング ● 水晶振動子膜厚センサ付属 【主な用途】 ・酸化膜、絶縁膜 ・金属・合金、導電性膜 ・化合物、反応性膜、他 【オプション】 ◉ 基板加熱ヒーター500℃、磁性材用カソード、ドライスクロールポンプ、など
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ウエハーアニール装置【ANNEAL】Max1000℃ APC自動圧力制御 MFC x3系統 Φ4〜6inch基板対応
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4"〜最大6"基板対応、 高真空アニール装置（<5 × 10-7 mbar） [ANNEAL]は、ウエハー等の基板を安定したプロセス雰囲気にて高温熱処理が可能な研究開発用アニール装置です。 高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です（APC自動プロセス制御システムオプション）。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により３種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター：Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター：Max1000℃（真空中、不活性ガスのみ） ・SiCコーティングヒーター：Max1000℃（真空、不活性ガス、O2）
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◉超高温実験炉 【Mini-BENCH-prism】 セミオート式 Max2000℃
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉PLCセミオートコントロール 卓上型Mini-BENCHのセミオート制御式上位機種 「真空/パージサイクル」「ガス置換」「ベント」の各工程を自動制御 最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉（カーボン炉、タングステンメタル炉） 小型・省スペース実験炉 ◉有効加熱範囲（るつぼ寸法） ・面状ヒーター加熱範囲：Φ2inch〜Φ6inch ・円筒状ヒーター加熱範囲：Φ30〜Φ80 x 深さMax100(H)mm ◉MFC最大3系統 自動流量制御（又は手動調整） ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1,160mm（*ロータリーポンプ筐体内設置） 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
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【MiniLab-125】 多元マルチスパッタ装置（Φ8"対応）1000℃ヒーターステージ(SiCコーティング ）搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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◆◇◆【nanoCVD-8G】 グラフェン合成装置◆◇◆
◉ コールドウオール式による高効率・高精度プロセスコントロール ◉ 急速昇温：1100℃/約3分間 ◉ 高精度温度制御：±1℃ ◉ 高精度APC自動圧力制御システム：ガス3系統（Ar, H2, CH4） ◉ グラフェン作成用標準レシピ付属 ◉ コンパクトサイズ：405(W) x 415(D) x 280(H)mm ◆特徴◆ ・簡単操作! 5inchタッチパネルによる操作・レシピ管理 ・最大30レシピ，30stepのプログラム作成可能 ・PCソフトウエア付属 USBケーブル接続，PC側でのオフラインレシピ作成→装置へアップ/ダウンロード, CSVデータ出力 ・最大試料サイズ：40 x 40mm：銅（ニッケル）箔, SiO2/Si, Al2O3/Si基板，他 ◆Model. nanoCVD-8G◆ ・グラフェン用標準プログラム付属 ・高真空プロセス, 高精度プロセス圧力制御 ・ロータリーポンプ標準付属 ・ガス供給3系統（Ar, H2, CH4） ・試料加熱ステージ（高純度グラファイト）Max1100℃ ・Kタイプ熱電対
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取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。