スパッタリング装置『nanoPVD-S10A』
高機能 コストパフォーマンスに優れた研究開発用RF/DCマグネトロン式スパッタリング装置
高機能 ハイパフォーマンス RF/DCマグネトロンスパッタリング装置 ● 到達圧力5 x 10-5Pa（*1x10-4Paまで最速30分！） ● スパッタ源 x 3：連続多層膜膜制御, 同時成膜 ● 膜均一性±3% ● 多彩なオプション：上下・回転、ヒータ、磁性材用カソード、他 ◉ nanoPVDは、最大スパッタ源3源+3系統（MFC制御）、RF/DC PSUの増設（最大2電源まで）連続多層膜・2源同時成膜（RF/DC、又はDC/DCのみ）、など多目的にお使い頂くことができます。 ・絶縁膜 ・導電性膜 ・化合物、他 【主な特徴】 ◉ 対応基板：2"（1〜3源）、もしくは4"（1源） ◉ 2"カソード x 最大3源 ◉ 7"タッチパネル簡単操作 PLC自動プロセスコントロール ◉ MFC搭載高精度プロセス制御 ◉ Arガス1系統（標準） + N2, O2 最大3系統まで増設 ◉ USB端子付 Windows PCに接続し、最大1000layer, 50filmのレシピを作成・保存。PCでデータロギング。 ◉ 他、多彩なオプションを用意
基本情報
◉ 装置運転・レシピ管理などの全てを7"タッチパネルで一元管理。 ◉ ユーザの登録したフィルムレシピ、プロセス制御（真空引/ベント、成膜時間、出力/時間、MFC流量圧力自動制御、カソード切替、シャッター開閉、加熱・昇降回転調整など）を全自動運転（手動も可能）〜Windows PCでデータロギングができます。 【主な仕様】 ・RF/DCマグネトロン方式 ・2inchマグネトロンカソードx3源（標準1源） ・RF電源：150W 自動マッチング ・DC電源：850W ・対応基板サイズ2inch、4inch ・基板回転・上下昇降・加熱（500℃）オプション ・プロセスガス制御：MFC x 1（Ar標準、最大3系統増設：N2, O2） ・APC自動制御（キャパシタンスマノメータ オプション） ・水晶振動子膜厚モニタ ・シャッター ・寸法：804(W) x 570(D) x 600(H)mm ・重量：約70kg ・電源：200VAC 50.60Hz 15A ・チャンバーサイズ：Φ225（内径）x 250mm ・真空系：TMP + RP（ドライポンプ オプション） ・ペルチェ冷却機構
価格帯
納期
型番・ブランド名
S10A
用途／実績例
各種電子デバイス薄膜実験 金属薄膜、絶縁膜、化合物薄膜、他多数アプリケーションに対応
詳細情報
関連動画
ラインアップ（2）
| 型番 | 概要 |
|---|---|
| nanoPVD-S10A | |
| nanoPVD-S10A-WA | Φ6inch、Φ8inch基板対応ステージ搭載 |
カタログ（36）
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この製品に関するニュース（5）
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多元マルチスパッタリング装置【MiniLab-125】Φ8"対応 SiCコーティング 1000℃ヒーターステージ 搭載！コンパクトサイズ！
多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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4元マルチスパッタ装置 【MiniLab-S060】
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
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【MiniLab】 蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S060A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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蒸着/スパッタ・デュアルチャンバーシステム【MiniLab-E080A/S060A】
2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S060A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）
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多機能スパッタリング装置 【MiniLab-S060】
Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。
取り扱い会社
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。
