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【分析事例】Siウエハ表面の金属汚染評価

ICP-MS:誘導結合プラズマ質量分析法

ICP-MSを用いたSiウエハ表面の金属汚染評価の目的には、Siウエハ自体の汚染評価以外にも、半導体装置内の汚染評価、Siウエハ暴露による作業環境場の評価などもあり、Siウエハ表面の分析は様々な目的で行われます。ICP-MS分析ではSiウエハ表面の金属汚染量を高感度に取得でき、さらに目的に応じて評価領域を指定することも可能です。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

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製造装置・部品・環境の分析です

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