【分析事例】分子動力学計算によるGa含有プリカーサーの蒸気圧計算
ALD、CVDのプリカーサーに用いられる金属錯体の蒸気圧予測に有効！
ALD（原子層堆積法）は高アスペクト比の構造に対しても原子層レベルで均一な成膜が可能なため、 半導体の微細化・複合化・細線化に有用な方法として着目されています。 成長表面における「原料（プリカーサー）の吸着飽和を利用した気相プロセスによる成膜方法であるため、 基板へのプリカーサーの被覆率、成膜レートを向上させるためには、 高い蒸気圧を持ったプリカーサーが求められています。 本資料では分子動力学計算により種々のGa含有プリカーサーの蒸気圧を予測し、実験値と比較しました。
基本情報
測定法：計算科学・AI・データ解析 製品分野：LSI・メモリ、パワーデバイス、製造装置・部品、酸化物半導体 分析目的：熱物性評価
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納期
用途／実績例
LSI・メモリ、パワーデバイス、製造装置・部品、酸化物半導体の分析です。
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