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「セミコンジャパン2024」出展及びセミナー開催のお知らせ
セミナーでは、HDRF-高密度ラジカルで、ポリマー、HDIレジストを低温除去できる新技術などをご紹介予定
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強磁性膜・固体電解質成膜ソリューション
研究開発及び小規模生産用イオンビームスパッタリング装置!
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バックサイドメタライゼーションソリューション『ECLIPSE』
DCパルススパッタリングが可能(導電性ターゲット使用した絶縁膜のリアクティブスパッタ)!
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ナノマテリアル成膜ソリューション
ナノマテリアル(金属ナノ粒子、ナノワイヤー、ナノシート、ナノエレクトロニクス用材料)用薄膜の成膜に好適!
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高密度ラジカルクリーニングソリューション
他社の同様の技術に比べ50~100倍ものラジカルを生成し、ダメージのないプロセスを提供!
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航空宇宙工学・医療用スパッタリングソリューション
航空宇宙工学用光学膜、医療・バイオ用光学膜用ハイエンドスパッタリングプロセスが可能!
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ダメージフリーイオンビーム成膜ソリューション『QuaZar』
ウェーハステージの傾斜/回転機能により、フィーチャーセッティングが可能!
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強誘電体イオンビームエッチングソリューション『QuaZar』
不活性ガスArエッチングと反応性ガスによるエンハンスドRIBEが可能!
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半導体デバイス故障解析ソリューション
ドライエッチングプロセスにおいて、正確な絶縁層及びメタル層の露出が可能!
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マルチパーパスエッチング・成膜ソリューション
故障解析、MEMS、光MEMS、先端パッケージングなど、幅広い市場向けのエッチング及び成膜が可能!
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F.A.S.Tソリューション
高い成膜レートを有する高品質な酸化物、窒化物、メタル成膜が可能!
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バッチ式化合物半導体量産機プラズマCVD・プラズマエッチング装置
フランスで設計・製造された業界最小、ウエハトレイのみ交換で2~12インチウエハ対応、Corial 300・500シリーズ
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イオンビームエッチング(IBE)・成膜装置(IBD)
R&D用特殊仕様から量産向けまで対応可能!一般的なグリッドと比較して約3倍の長寿命化
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プラズマCVD装置『SHUTTLELINE(R)シリーズ』
小型で多用途に応用可能!デバイス評価プロセスにも適応できる高機能装置です
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オーダーメイド型スパッタリング成膜装置
難しい材料、様々な基板形状、用途にも!非常に幅広い基板サイズに対応可能
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各種ウェハ高速加熱処理装置『HEATPULSE』
“サセプタ不用"の高スループットSiCウェハアニール!4-8インチウェハに対応
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卓上タイプエッチング・成膜装置『Plasma POD シリーズ』
教育機関や小規模施設などに!タッチパネルで簡単操作が可能な卓上型システム
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プラズマ技術~バイオ・医療への応用
a-SiC:H(堅牢膜)等のパッシベーション膜形成が可能!高密度プラズマによる表面除染
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イオンビーム エッチング・成膜装置『QuaZar』
総保有コストを減少させる事が可能!最高クラスの均一性とスループットを実現
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半導体故障解析用プラズマ・エッチング装置
ICの絶縁層を除去!フットプリントが小さく、費用対効果の高いシステム
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光化合物半導体 プラズマ加工装置
長年の経験と蓄積された加工ノウハウ!化合物半導体加工向けに1300台以上の納入実績
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プラズマベースの原子層エッチング装置『Takachi ALE』
表面の単原子層のエッチング!エッチング対象物へのダメージを抑える事が出来ます!
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プラズマ除去装置『HDRF』
フォトレジストや有機ポリマ残渣を低温で除去!当社のプラズマ除去装置をご紹介
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クライオ・プラズマ・エッチング Takachi ICP Cryo
当社で取り扱う、極低温環境でのエッチング装置をご紹介いたします
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不良解析エッチング装置『200FA/200R/200I』
剥離処理により、不要箇所を除去!当社で取り扱う不良解析エッチング装置をご紹介
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プラズマCVD装置『210Dモデル』
φ200mmウェーハまで対応!成膜・エッチングの両用が可能なプラズマCVD装置です
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プラズマダイシング装置『MDS-100/MDS-300』
複数サイズのウェハに対応!誘導結合プラズマを使用したBosch法によるダイシング
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成膜装置『Corial 200 Series』
用途に応じてコンフィギュレーションする事ができるプラズマエッチング・成膜装置
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イオンビームエッチング・成膜装置『QuaZar(TM)』
高いスループットを実現!大面積イオンソースと高度なモーションコントロール
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プラズマ成膜装置『KOBUS F.A.S.T.(R)』
パルス機能を利用!ALDと同等薄膜を従来のCVDと同じ処理時間で生成する事が可能
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