ロックイン発熱解析法
ロックイン発熱解析法は、電流経路中の僅かな温度上昇を検出します
基本情報
デバイスの内部で発生する熱を検出し、故障箇所を特定する半導体故障解析装置となります。高感度赤外検出器にて検出した発熱画像と、IRコンフォーカルレーザ顕微鏡で取得した高解像度なパターン画像を重ね合わせて表示することにより、高感度かつ高い位置精度で故障箇所を迅速に特定します。
価格情報
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納期
用途／実績例
■症状 ・配線間リークやショート不良 ・静電破壊箇所の特定 ・発光素子の発熱面内分布測定 ・酸化膜のマイクロプラズマリーク・絶縁不良 ・発光素子の発熱面内分布測定 ■デバイス ・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ） ・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど） ・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど） ・MEMS（圧力センサ・加速度センサ） ・IC、基板などの絶縁劣化部位の特定
詳細情報
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取り扱い会社
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