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【分析事例】X線吸収・発光分光によるバンド構造評価

材料の価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位の詳細な情報が得られます

材料の様々な特性を制御するにあたって価電子帯・伝導帯・ギャップ内準位といったバンド構造の把握は極めて重要な評価項目となっていますが、それらを直接的かつ詳細に評価する分析手法は限られています。放射光を用いたX線吸収分光(XAS)とX線発光分光(XES)の同時測定からはバンド構造の全容が把握できると共に、それらを構成する元素・軌道の帰属といった詳細な情報も得ることが可能です。 本資料では測定例としてGaN基板のXAS・XESスペクトルをご紹介します。

関連リンク - http://www.mst.or.jp/

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用途/実績例

照明・酸化物半導体・LSI・メモリの分析です

【分析事例】X線吸収・発光分光によるバンド構造評価

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