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【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価

温度保持中の脱ガス強度の変化を調査できます

TDSは高真空中で試料を昇温、または温度を一定に保持した状態で、脱離するガスをリアルタイムに検出する手法です。 Si基板上SiN膜について350℃で温度を保持し、H2の脱離量を調査した例を示します。 単純昇温では500℃付近に脱ガスピークが確認されましたが、350℃で温度保持中はH2の検出強度は低下し、再昇温時に脱ガスピークが確認されました。

関連リンク - https://www.mst.or.jp/casestudy/tabid/1318/pdid/46…

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LSI・メモリ・パワーデバイス・製造装置・部品の分析です

【分析事例】TDSによる温度保持中の脱ガス評価_C0530

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