一般財団法人材料科学技術振興財団 MST 公式サイト

【分析事例】GaNの部分状態密度測定

価電子帯・ギャップ内準位について元素別の情報が得られます

放射光を用いた軟X線発光分光(SXES)は材料を構成する各元素について、フェルミ準位近傍の部分状態密度(pDOS)を直接的に得られるため、材料の電子状態を評価する手法として幅広く用いられています。さらに本手法の特長として、 1. バルクの情報が得られる 2. 絶縁物に対しても帯電の影響を受けず評価可能 3. 検出下限が低い(<1atomic%) などが挙げられ、特に軽元素(B、C、N、O等)を含んだ材料の評価に有効です。本資料では測定例としてGaN基板のSXESスペクトルをご紹介します。

MSTホームページ

基本情報

測定法:XAFS・SXES 製品分野:照明・酸化物半導体・LSI・メモリ 分析目的:電子状態評価

価格帯

納期

用途/実績例

照明・酸化物半導体・LSI・メモリの分析です。

【分析事例】GaNの部分状態密度測定_C0511

技術資料・事例集

取り扱い会社

MSTは受託分析サービスをご提供する財団法人です。 TEM・SIMS・XRDなど、さまざまな分析装置を保有し、分析ニーズに応えます。 知識豊富な営業担当が、適切な分析プランをご提案。貴社に伺ってのご相談も、もちろん可能です。 ISO9001・ISO27001取得。 製品開発・不良原因の解明・特許調査はぜひご相談ください! MSTは、あなたの「困った!」を解決へと導きます。

おすすめ製品