【分析事例】Fe/MgO/Fe接合系の理論計算(C0583)
NEGF法を用いた第一原理計算によってFe/MgO/Fe接合系に対してTMR比やスピン・電荷の様子を調査！
当社では、MRAMのトンネル磁気抵抗効果を示すFe/MgO/Fe接合系の 理論計算(C0583)を行っております。 トンネル磁気抵抗効果(TMR)は薄い絶縁層を挟んでいる強磁性層の 磁化の向きによって電気抵抗が変化する現象であり、磁気抵抗メモリ (MRAM)などへの応用が進められています。 シミュレーションによってバイアス印加時の振舞いや界面における歪み、 酸素欠損などがTMRの物性に及ぼす影響についても評価可能です。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【製品分野】 ■LSI・メモリ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【分析目的】 ■構造評価 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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