【分析事例】ALD成膜におけるプリカーサ吸着シミュレーション
基板上へプリカーサ吸着時の活性化エネルギー、反応熱の情報が得られます！
弊団では、第一原理計算によるALD成膜におけるプリカーサ吸着 シミュレーションを行っております。 ALD(原子層堆積法)は気相の連続的な化学反応を利用した成膜技術。 膜厚の厳密なコントロールが可能なことや、低温プロセスでの運用、 付き回りの良さなどの理由から、微細加工が求められる半導体分野を 中心に広く用いられています。 一般に成膜速度が遅いALDにおいて、異なる基板間の成膜速度の差を 理解するためには基板上へのプリカーサ吸着メカニズムの解明が求められます。 【測定法・加工法】 ■計算科学・AI・データ解析 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
基本情報
【製品分野】 ■LSI・メモリ ■酸化物半導体 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
価格帯
納期
用途／実績例
【分析目的】 ■構造評価 ■その他 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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