[EBSD]電子後方散乱回折法
容易に広い領域の結晶情報を得ることが可能
基本情報
約60～70°傾斜した試料に電子線を照射すると、試料表面から約50nm以下の領域の各結晶面で回折電子線が作られます。この後方散乱電子回折を解析することで結晶性試料の方位解析の情報が得られます。
価格情報
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納期
用途／実績例
・CIGS膜（多結晶太陽電池）の結晶粒評価 ・SEM装置で格子歪み測定 ・半導体デバイス金属配線の結晶粒観察 ・ボイド周辺の結晶粒界の調査 ・ポリSi TFTの結晶解析 ・合金層中不明層の結晶性評価 ・断面からのウイスカの配向測定 ・金属材料の成長（成膜）技術における最適条件の探索 ・金属薄膜経時変化の解析
詳細情報
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取り扱い会社
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