［SCM］［SNDM］
キャリア分布を二次元的に可視化
基本情報
■電気容量変化によるキャリア分布の可視化 探針と半導体との接触箇所はMOS構造となり、半導体表面の酸化膜の静電容量COxと半導体の静電容量CDが接続された系とみなすことができます。この系に対して高周波電圧VACを印加すると、合成容量Cが変動します。 この変動は探針直下の半導体中のキャリアの振動によるものにほかならず、変動の大きさは探針直下のキャリア濃度に依存します。 探針を走査させながら、合成容量Cの変動Cにより生じる高周波共振器の変調信号を測定することで、キャリアの分布を二次元的に可視化することができます。
価格情報
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納期
用途／実績例
・拡散層のp/n極性の判定 ・LSI内特定箇所の拡散層形状評価 ・個別半導体（バイポーラトランジスタ・ダイオード・DMOS・IGBT等）の拡散層形状評価 ・半導体素子の不良箇所（注入異常・リーク不良等）の拡散層形状評価 ・TFTの拡散層形状評価（LDD部の可視化） ・強誘電体材料の分極評価
詳細情報
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取り扱い会社
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