OBIRCH分析（光ビーム加熱抵抗変動法）
OBIRCHは、光を当てることによって発生する欠陥箇所の熱により、抵抗が変化することを利用して、異常箇所の特定を行う手法です
基本情報
１.レーザを被観察領域に走査する。レーザ照射された配線部位は温度が上昇し、抵抗が変化する。 ２.レーザの走査に同期して電流値（または電圧値）を読み取る。 ３.ボイド・析出物等の欠陥は配線正常部とTCRが異なるため、抵抗変化量も異なり特異な電流値（または電圧値）として検出される。
価格情報
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納期
用途／実績例
・Siデバイス（トランジスタ・MOSFET・IGBT・CMOSセンサ） ・SiCパワーデバイス（ショットキーバリアダイオード・MOSFETなど） ・GaN発光素子・GaNデバイス（LD・LED・HEMTなど） ・MEMS（圧力センサ・加速度センサ）
詳細情報
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取り扱い会社
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