［SEM］走査電子顕微鏡法
高倍率観察(30万倍程度まで)が可能
SEMは、電子線を試料に当てた際に試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができる手法です。 ・簡単な操作で高倍率観察(50万倍程度まで)が可能 ・二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（BackScattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察が可能 ・加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能 ・最大6インチまで装置に搬入可能（装置による） ・SEMにオプションを組み合わせることにより、様々な情報を得ることが可能 EDX検出器による元素分析が可能 電子線誘起電流（EBIC）を測定し、半導体の接合位置・形状を評価 電子後方散乱回折（EBSD)法により、結晶情報を取得可能 FIB加工とSEM観察の繰り返しにより、立体的な構造情報を取得可能（Slice & View） 冷却観察・雰囲気制御観察
基本情報
試料に電子を当て、試料表面から放出される二次電子・反射電子・試料を透過した透過電子（要薄片化）の像を得ることができます。 加速電圧や材料により入射電子の拡がり方が異なり、それに伴い、観察している深さ(電子が出てくる深さ)も変わります。したがって、目的によって最適な加速電圧を選定する必要があります。
価格情報
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納期
用途／実績例
・試料表面観察 ・試料断面観察 ・故障解析 ・膜厚測定 ・粒径測定
詳細情報
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